基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法.pdf
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基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法.pdf
本发明公开了一种范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件,主要解决了现有GaN‑HEMT器件击穿电压低的问题。其包括:衬底、本征GaN缓冲层、电流孔径、GaN沟道层、AlN层、AlGaN势垒层、P‑GaN帽层、源栅电极及钝化层;该本征GaN缓冲层与电流孔径之间,垂直设有两种不同掺杂浓度的第一P型GaN层和第二P型GaN层,以分别与本征GaN缓冲层形成PN结;该衬底与本征GaN缓冲层之间,垂直设有二维材料层、第一AlN层、第二AlN层和掺铁的GaN层;该二维材料层、第一AlN层、第二AlN层及衬底的中间开有
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法.pdf
本发明提出一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法,该晶体管包括包括复合沟道层,其中的第一掺杂In<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N沟道层中的Si掺杂浓度低于第二掺杂In<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?y</base:Sub>N沟道层中的Si掺杂浓度,第一掺杂In<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N沟道层中的C掺杂浓度高于第二掺杂In<ba
一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法.pdf
本发明涉及氮化镓器件技术领域,提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法,氮化镓高电子迁移率晶体管包括势垒层、2DEG层、GaN沟道层、GaNn型掺杂层、缓冲层、衬底以及栅极;所述衬底为高阻硅衬底,在所述衬底上方生长1~7层的外延层,所述外延层包含自下而上设置的缓冲层、GaNn型掺杂层、GaN沟道层、势垒层以及栅极,所述缓冲层与GaNn型掺杂层之间还设有AlGaN层,在现有的HEMT基础上增加与外延层连接的电极结构成为四端器件。避免上管的栅极电压受到输出端的影响,插入高掺杂n型层以提升沟道导通时的
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件.pdf
本发明公开了一种用于制备氮化镓射频器件的衬底,包括硅晶片及位于硅晶片上方的碳化硅薄膜,碳化硅薄膜与硅晶片键合成一体。本发明进一步公开了一种上述衬底的制备方法,包括步骤:S1、对碳化硅晶片进行离子注入,形成碳化硅薄膜;S2、将硅晶片与碳化硅薄膜进行键合;S3、退火使碳化硅薄膜与碳化硅晶片之间形成的界面裂开,碳化硅晶片与碳化硅薄膜分离;S4、对碳化硅薄膜表面进行抛光。一种氮化镓射频器件,包括器件主体、氮化镓层及氮化镓化合半导体层,还包括上述的衬底,所述硅晶片、所述碳化硅薄膜、氮化镓层、氮化镓化合半导体层及器件
一种氮化镓高电子迁移率晶体管.pdf
本发明公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管,该氮化镓高电子迁移率晶体管包括:包括:衬底层、缓冲层、本征氮化镓层、势垒层、源极、栅极、漏极以及复合帽层;在衬底层上为缓冲层,缓冲层上位本征氮化镓层,本征氮化镓层上位势垒层,势垒层上端两侧分别位金属电极源极和漏极;在势垒层与栅极之间设置复合帽层,所述复合帽层包括P‑GaN层和i‑GaN层,i‑GaN层位于势垒层上,P‑GaN层位于i‑GaN层上,P‑GaN层上位栅极;所述源极、栅极和漏极之间为钝化层;所述P‑GaN层、i‑GaN层和栅极的长度相同。通过通过引入i‑