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一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法.pdf
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本发明涉及氮化镓器件技术领域，提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法，氮化镓高电子迁移率晶体管包括势垒层、2DEG层、GaN沟道层、GaNn型掺杂层、缓冲层、衬底以及栅极；所述衬底为高阻硅衬底，在所述衬底上方生长1～7层的外延层，所述外延层包含自下而上设置的缓冲层、GaNn型掺杂层、GaN沟道层、势垒层以及栅极，所述缓冲层与GaNn型掺杂层之间还设有AlGaN层，在现有的HEMT基础上增加与外延层连接的电极结构成为四端器件。避免上管的栅极电压受到输出端的影响，插入高掺杂n型层以提升沟道导通时的
2023-06-02
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