1第1章半导体分立器件.ppt

电工学2电子技术概述第一章半导体分立器件及其基本电路半导体的导电具有不同于其它物质的特点。1.本征半导体硅和锗的共价键结构（半导体晶体结构）+4半导体的导电机理103.光敏性、热敏性，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强，这是半导体的一大特点。2.杂质半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。16二.PN结的单向导电性PN结外加上正向电压(正向偏置)PN结外加上反向电压(反向偏置)PN结具有单向导电性定义半导体二极管图片2324一、基本结构二、伏安特性三、主要参数指管子不被反向击穿所允许外加的电压。一般手册上给出的UDRM约为击穿电压的一半。4.最大反向电流IRM：四.二极管的模型2.恒压降模型.二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，硅管的管压降约为0.6-0.7V，锗管的管压降约为0.2-0.3V。D二极管电路分析举例电路如图，求：UABui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui<8V，二极管截止，可看作开路uo=uiRL（4）稳定电流IZ稳压二极管的稳压原理:负载电阻。令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。2.发光二极管3.光电二极管小结：BBB1.4.2电流分配和放大原理2.各电极电流关系及电流放大作用发射极是输入回路、输出回路的公共端输入特性UCE1V2.输出特性IB=01.4.4主要参数例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60A,IC=2.3mA。求：电流放大系数2.集-基极反向截止(饱和)电流ICBO4.集电极最大允许电流ICMICUCE=PCM5.复合三极管光电三极管和光电耦合器3、元件选择要使信号不失真地放大。一、基本放大电路的组成一、基本放大电路的组成一、基本放大电路的组成放大电路的分析小结：基本放大电路的组成放大电路的分析二、共射放大电路的静态分析IC对交流输入信号为零，只有直流信号（VCC）（2）根据直流通道估算UCE、IC例：用估算法计算静态工作点。(二)用图解法确定静态值(二)用图解法确定静态值UBE结论：结论：符号规定(一)三极管的微变等效电路(小信号模型分析法)rbe的量级从几百欧到几千欧。(2)输出回路ube交流通路输入电阻的定义：所以：动态分析图解法iC若Q设置过高，若Q设置过低，Q点上移饱和失真:iC1.4.2分压式(射极)偏置电路Q点稳定的过程1.4.2分压式(射极)偏置电路2.静态工作点的计算3.动态分析RB1RB1例题：（2）求电压放大倍数小结：静态分析：交流通路RB1Q:RB1对信号源电压的放大倍数？2.3.输入电阻大，输出电阻小。射极输出器的使用耦合方式：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；光电耦合。RB1多级阻容耦合放大器的特点：电子技术小结一、两种载流子和两种半导体iD3.二极管的等效模型4.二极管的分析方法5.特殊二极管三、半导体放大器件放大条件4.特性放大区特点：5.参数1.理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、共集电极放大电路的性能特点。掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等效电路分析法。3.掌握放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念.固定偏置共射极放大电路RB+UCCRB非线性失真非线性失真RB多级放大电路多级阻容耦合放大器的特点：习题1.二极管电路分析举例(b)ui<5V，二极管导通，可看作短路uo=uiui>5V，二极管截止，可看作开路uo=5Vui>5V，二极管导通，可看作短路uo=uiui<5V，二极管截止，可看作开路uo=5VE=20V,R1=900Ω,R2=1100Ω,稳压管Uz=10V,Izm=8mA,试求：Iz;该值是否超过Izm;若超过该怎样解决？一放大电路输出端接1kΩ负载电阻时，输出电压为1V；负载电阻断开时，输出电压上升到1.1V，求放大电路的输出电阻ro1.6用估算法,图解法计算静态工作点。