FP激光器和DFB激光器.pptx
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DFB激光器制备方法和DFB激光器.pdf
本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器,在外延片上刻蚀脊型波导结构;在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料,形成光栅结构;在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极,得到DFB激光器。由此可见,本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构,可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度,降低工艺门槛,从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。
DFB蝶形封装激光器.doc
DFB蝶形封装激光器1,描述分布式反馈特定波长激光器,波长1550±2nm,输出光功率≥10mw,内置光隔离器,带制冷的14脚蝶形外壳,直径为900um紧套管,长度为1m的单模尾纤,连接器FC/APC2,性能规格2。1,极限值参数符号最小最大单位激光器反向电压VRLMAX—2。0V正向电流IFLMAX-150mA工作温度范围TO—2070℃贮藏温度范围Tstg-4085℃光电二极管反向电压VRPDMAX-10V光电二极管正向电流IFPDMAX—2mA热敏电阻温度—-100℃制冷器工作电流——1.9A2.2
DFB可调激光器模块讲解.doc
可调谐分布反馈式半导体激光器模块使用说明1.基本构成本模块以NEC四波可调谐半导体激光器(NX8570系列)为核心,配以可调恒流源电路、可调谐自动温度控制电路以及相应的保护电路组成。功率与波长调节方式采用电位器调整方式,全量程范围内模拟连续可调。对应的工作状态指示灯标识当前温度与功率工作状态是否正常(常亮正常)。光纤输出口与电源线引出口未做固化处理,预留四方向可调节口可供客户使用时根据需要进行相应地调整。2.技术指标(NECNX8570)3.波长与功率标定(出厂设置)Table.A四波长标定值参数最小值典
DFB激光器及其制备方法.pdf
本发明涉及一种DFB激光器及其制备方法。DFB激光器,包括:DFB激光器结构,具有脊型波导;低应力介质层,至少覆盖所述脊型波导的侧壁;所述低应力介质层的热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配。本发明的DFB激光器,可以显著降低所述DFB激光器的寄生电容,从而提高所述DFB激光器在高频条件下的带宽性能。本发明采用的是热膨胀系数与所述脊型波导的热膨胀系数相匹配的所述低应力介质层,所述DFB激光器在不同的操作温度下,不会产生明显的热应力,不会对所述DFB激光器结构中的量子阱材料产生应力而影响DFB激光器的性