DFB激光器制备方法和DFB激光器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115912050A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211507721.2C23C16/455(2006.01)(22)申请日2022.11.24C23C16/50(2006.01)C23C28/00(2006.01)(71)申请人山东省科学院激光研究所地址272071山东省济宁市高新区海川路46号山东省科学院激光研究所综合楼(72)发明人唐先胜韩丽丽王兆伟宫卫华张伟(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限公司11363专利代理师逯长明温瑞鑫(51)Int.Cl.H01S5/12(2021.01)H01S5/22(2006.01)C23C16/34(2006.01)C23C16/40(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称DFB激光器制备方法和DFB激光器(57)摘要本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器，在外延片上刻蚀脊型波导结构；在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，得到DFB激光器。由此可见，本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构，可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度，降低工艺门槛，从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。CN115912050ACN115912050A权利要求书1/2页1.一种DFB激光器制备方法，其特征在于，所述方法包括：在外延片上刻蚀脊型波导结构；在所述脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在所述脊型波导结构和所述光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在外延片上刻蚀脊型波导结构，包括：在所述外延片上制作脊型波导的光刻图形；根据所述光刻图形，在所述外延片上刻蚀所述脊型波导结构。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构，包括：制备垂直于所述脊型波导结构的第一图形结构；层叠于所述第一图形结构，采用原子层沉积ALD技术制备第一预设厚度的氧化硅薄膜，形成第二图形结构；层叠于所述第二图形结构，采用所述ALD技术制备第二预设厚度的氮化硅薄膜，形成第三图形结构；重复制备多个层叠设置的所述第二图形结构和所述第三图形结构，以形成目标周期数的光栅结构。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述制备垂直于所述脊型波导结构的第一图形结构之前，所述方法还包括：在所述脊型波导结构的垂直方向上，采用等离子体增强化学气相沉积PECVD技术沉积氮化硅材料，形成钝化层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述重复制备多个层叠设置的所述第二图形结构和所述第三图形结构之后，所述方法还包括：采用等离子体刻蚀技术，对所述第二图形结构中的氧化硅薄膜的侧壁进行选择性刻蚀，并刻蚀穿透所述第三图形结构的氮化硅薄膜至所述外延片表面；采用等离子体增强化学气相沉积PECVD技术沉积氧化硅材料，填充刻蚀形成的孔洞结构，以在所述外延片表面形成氧化硅和氮化硅相互间隔的光栅结构。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述外延片上制作脊型波导的光刻图形之前，所述方法还包括：采用清洁材料对所述外延片进行超声清洁；所述清洁材料包括丙酮、酒精和去离子水中的至少一种。7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述脊型波导结构和所述光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，包括：采用套刻技术和等离子体刻蚀技术，将所述脊型波导结构的上表面露出；采用电子束蒸发技术，在所述脊型波导结构的上表面上蒸镀所述DFB激光器的上电极。8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述外延片包括衬底；所述在所述脊型波导结构和所述光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，包括：采用所述电子束蒸发技术，在所述衬底的背面蒸镀所述DFB激光器的下电极。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述上电极和所述脊型波导结构的上表面之间，以及所述下电极与所述衬底背面之2CN115912050A权利要求书2/2页间形成欧姆接触。10.一种DFB激光器，其特征在于，所述DFB激光器由权利要求1至9任一项所述的DFB激光器制备方法制备。3CN115912050A说明书1/6页DFB激光器制备方法和DFB激光器技术领域[0001]本申请涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种DFB激光器制备方法和DFB激光器。背景技术[0002]分布式反馈激光器(DistributedFeedbackLaser，简称DFB激光器)是一种在半导体内部设置光栅结构(例如布拉格光栅)，并通过光栅结构进行光反馈