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多晶硅片生产工艺介绍目录一、光伏产业链二、多晶硅片生产流程三、半导体和硅材料四、多晶硅片生产技术指标(简介)一、光伏产业链二、多晶硅片生产流程2.1多晶铸锭生产流程2.2多晶切片生产流程切片:用WIRESAW将硅块切割成硅片(wafer)切割后多晶硅片多晶硅片生产设备一览公司设备图片多晶铸锭炉红外杂质探伤仪IRB50三、半导体和硅材料半导体材料的内部结构晶体的能带本征半导体和杂质半导体n型和p型半导体半导体的性质光生伏特效应3.2什么是“硅材料”硅材料的一些技术参数四、多晶硅片生产技术指标5.杂质控制:在铸造多晶过程中,包括原料状况、多晶炉热场材料等往往会带来大块的杂质,这些杂质的存在会严重影响后续切片的效果,而且夹杂的硅片光电转换效率特别低,一般有杂质的硅块直接去除。多晶硅块检测要求无杂质。6.多晶硅片标准尺寸:156*156mm(8寸)7.多晶硅片标准厚度:200±20μm8.硅片缺陷:隐裂、裂纹、线痕、崩边、缺口长度、深度等要求(详见《多晶硅片检验标准》)谢谢!