ASIC芯片设计生产流程.ppt

ASIC芯片开发过程ASIC芯片设计开发主要流程框架划分划分ASIC设计流程ASIC开发流程中各步骤传统设计流程设计的一般步骤设计的一般步骤(2)设计的一般步骤(3)规范和ＲＴＬ编码动态仿真约束、综合和扫描插入形式验证静态时序分析布局、布线和验证ASIC芯片生产CYIT提供如下文件:GDSII文件，物理验证环境，物理验证报告生产厂家进行Merg生产厂家提供物理验证报告CYIT确认和eviewjob制造一块IC芯片通常需要400到500道工序。但是概括起来说，它一般分为两大部分：前道工序（front-endproduction）和后道工序（back-endproduction）。[1]前道工序(1)将粗糙的硅矿石转变成高纯度的单晶硅。(2)在wafer上制造各种IC元件。(3)测试wafer上的IC芯片[2]后道工序(1)对wafer划片（进行切割）(2)对IC芯片进行封装和测试<第一步>硅棒的拉伸将多晶硅熔解在石英炉中，然后依靠一根石英棒慢慢的拉出纯净的单晶硅棒。<第二步>切割单晶硅棒用金刚石刀把单晶硅棒切成一定的厚度形成WAFER（晶片、圆片）。注：一片wafer上可以生产出很多颗裸芯片（die）,一般都上千颗前道工序<第五步>覆上光刻胶通过旋转离心力，均匀地在WAFER表面覆上一层光刻胶。<第六步>在WAFER表面形成图案通过光学掩模板和曝光技术在WAFER表面形成图案。<第七步>蚀刻使用蚀刻来移除相应的氧化层。<第八步>氧化、扩散、CVD和注入离子对WAFER注入离子（磷、硼），然后进行高温扩散，形成各种集成器件。<第九步>磨平（CMP）将WAFER表面磨平。前道工序<第十二步>切割WAFER把芯片从WAFER上切割下来。形成一颗颗die<第十三步>固定芯片把芯片安置在特定的FRAME上<第十三步>连接管脚用25微米的纯金线将芯片和FRAME上的引脚连接起来。<第十三步>封装用陶瓷或树脂对芯片进行封装。<第十六步>修正和定型（分离和铸型）把芯片和FRAME导线分离，使芯片外部的导线形成一定的形状。<第十七步>老化（温度电压）测试在提高环境温度和芯片工作电压的情况下模拟芯片的老化过程，以去除发生早期故障的产品<第十八步>成品检测及可靠性测试进行电气特性检测以去除不合格的芯片成品检测：电气特性检测及外观检查可靠性检测：实际工作环境中的测试、长期工作的寿命测试注：FT测试，finaltest，也叫成测（终测），是指封装过后的成品测试，测试项目主要也是针对器件功能，目的将封装后的不良品剔除。Chip级<第十九步>标记在芯片上用激光打上产品名。