一种荷正电陶瓷膜及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115518526A(43)申请公布日2022.12.27(21)申请号202211264960.X(22)申请日2022.10.17(71)申请人甘肃农业大学地址730070甘肃省兰州市安宁区营门村1号(72)发明人南米娜毕阳薛华丽马荣(74)专利代理机构北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)11732专利代理师刘晓静(51)Int.Cl.B01D71/02(2006.01)B01D69/10(2006.01)B01D67/00(2006.01)B01D61/00(2006.01)B03C7/00(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图3页(54)发明名称一种荷正电陶瓷膜及其制备方法和应用(57)摘要本发明属于制备功能陶瓷膜技术领域，本发明提供了一种荷正电陶瓷膜及其制备方法和应用。本发明以硅藻土陶瓷膜为基膜，通过在其表面涂制涂膜液，并通过煅烧制得荷正电陶瓷膜。通过扫描电镜、透射电镜以对所制得的荷正电陶瓷膜进行表征，结果表明，陶瓷膜表面被涂上一层纳米三氧化二钇，通过Zeta电位得出陶瓷膜表面修饰纳米三氧化二钇后整个膜带有正电，因此可通过静电吸附作用对赭曲霉毒素A进行脱除。本发明制备的荷正电陶瓷膜对OTA的脱除率为94.96％，该脱除率远高于陶瓷基膜的脱除率19.52％。本发明为食品中OTA的脱除提供了一种简单、高效的方法，可推广至食品加工企业。CN115518526ACN115518526A权利要求书1/1页1.一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)涂膜：将硅藻土陶瓷膜与涂膜液混合进行超声涂膜后烘干，重复上述过程2～4次，得涂膜后的陶瓷膜；(2)制膜：将所述涂膜后的陶瓷膜进行煅烧，设置升温程序为：以升温速率1～3℃/min从80℃升温至400℃，400℃保温55～65min，再以升温速率0.5～1.5℃/min从400℃升温至700℃，700℃保温55～65min，得荷正电陶瓷膜。2.根据权利要求1所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，在步骤(1)之前还包括对硅藻土陶瓷膜进行预处理的步骤，所述预处理的步骤具体为：将硅藻土陶瓷膜浸没于稀硝酸中7～9h后取出，再浸没于去离子水中进行超声洗涤，然后烘干，重复整个过程2～4次。3.根据权利要求2所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，所述稀硝酸的浓度为1～3mol/L，所述超声洗涤的工作频率为30～50KHz，所述超声洗涤的时间为25～35min，所述烘干的温度为95～105℃，所述烘干的时间为25～35min。4.根据权利要求1所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述涂膜液的制备步骤为：将尿素、YCl3·6H2O分别与水混合，得尿素溶液和YCl3·6H2O溶液，然后将所述尿素溶液与聚乙二醇混合后，再与所述YCl3·6H2O溶液混合进行油浴加热，最后离心去除上层清液，得涂膜液。5.根据权利要求4所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，所述尿素与YCl3·6H2O的物质的量之比为5～7:1，所述尿素与水的混合质量比为36～71:100，所述YCl3·6H2O与水的混合质量比为36～52:100，所述聚乙二醇的用量为YCl3·6H2O质量的1～2％，所述油浴加热的温度为90～100℃，所述油浴加热的时间为100～140min，所述离心的转速为3000～5000r/min，所述离心的时间为20～30min。6.根据权利要求1所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅藻土陶瓷膜与涂膜液的混合比例为15～25g:90～110mL。7.根据权利要求1所述的一种荷正电陶瓷膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述超声涂膜的工作频率为30～50KHz，所述超声涂膜的时间为20～40min，所述烘干的温度为95～105℃，所述烘干的时间为25～35min。8.权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到的荷正电陶瓷膜。9.权利要求8所述的荷正电陶瓷膜或权利要求1～7任意一项所述的制备方法制备得到的荷正电陶瓷膜在脱除食品中的赭曲霉毒素A中的应用。10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述食品包括液体饮料，所述液体饮料包括葡萄酒和葡萄果汁。2CN115518526A说明书1/9页一种荷正电陶瓷膜及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明涉及制备功能陶瓷膜技术领域，尤其涉及一种荷正电陶瓷膜及其制备方法和应用。背景技术[0002]随着科技生活水平的逐步提高和食品种类的丰富，食品安全质量问题备受关注。真菌在自然界分布广泛，容易污染食品，造成食品的腐败变质。据估计每年有25％的粮食作物受到霉毒素的污染，有些真菌还可产生毒素，人畜误食被真菌毒素所感染的食品