无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102339842A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102339842A(43)申请公布日2012.02.01(21)申请号201110294728.6(22)申请日2011.10.08(71)申请人江阴长电先进封装有限公司地址214434江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号(72)发明人张黎陈栋赖志明陈锦辉段珍珍(74)专利代理机构江阴市同盛专利事务所32210代理人唐纫兰(51)Int.Cl.H01L27/146(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法(57)摘要本发明涉及一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，所述结构包括芯片本体（1），在芯片本体的上表面设置隔离层（5），在隔离层上设置透光盖板（6）；在芯片本体上形成硅沟槽（8）；在芯片本体下表面、硅沟槽（8）侧壁及裸露出的芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）上形成盲孔（10）；在绝缘层（9）表面及盲孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）本发明提供了具有结构简单、互联可靠性好、工艺简单、低成本的特点的无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，以及实现这种结构的工艺方法。CN1023984ACCNN110233984202339855A权利要求书1/1页1.一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，包括已经设置有芯片内部钝化层（2）、芯片内部金属层（3）及感光区（4）的芯片本体（1），其特征在于：在芯片本体（1）的上表面设置隔离层（5），隔离层（5）不覆盖或者覆盖于芯片感光区（4）；在隔离层（5）上设置透光盖板（6），在隔离层（5）不覆盖于芯片感光区（4）时，透光盖板6、隔离层5及芯片本体1之间形成空腔7；在芯片本体（1）上形成硅沟槽（8），且硅沟槽（8）底部直接停止于芯片内部钝化层（2）的下表面，使芯片内部钝化层（2）下表面裸露出来；在芯片本体（1）下表面、硅沟槽（8）侧壁及裸露出的芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）上形成盲孔（10），且盲孔（10）停止于芯片内部金属层（3）表面；在绝缘层（9）表面及盲孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）；所述结构的实现方法包括以下工艺过程：1)、通过涂覆、曝光、显影、固化或者单纯涂覆工艺在透光盖板表面形成隔离层；2)、通过健合的方法、使隔离层与芯片本体结合起来；优选的健合前在隔离墙上涂覆胶水，形成或增加健合后隔离层与晶圆之间的结合力；3)、通过晶圆片磨片及应力层去除的方法得到芯片本体的目标厚度；4)、通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅沟槽；5)、通过光刻的方法形成绝缘层；6)、通过利用绝缘层开口直接进行反应离子刻蚀，或者先光刻形成开口、然后进行反应离子刻蚀、最后再去除光刻胶的方法形成盲孔；7)、通过溅射、光刻、电镀或化学镀的方法形成金属线路层；8)、通过光刻的方法形成线路保护层；9)、通过放置焊球或印刷焊料，然后回流的方法形成焊球。2.根据权利要求1所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述绝缘层（9）在需要互联处的预留开口。3.根据权利要求2所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述互联处的预留开口与盲孔（10）重合。4.根据权利要求2所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述互联处的预留开口尺寸大于盲孔（10）尺寸。5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述隔离层（5）覆盖感光区（4）时，隔离层（5）选用透光材料。6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述芯片内部钝化层（2）及芯片内部金属层（3）是多层，该封装结构中盲孔（10）形成于第一层芯片内部钝化层、并停止于与第一芯片内部钝化层相邻的芯片内部金属层上。7.根据权利要求1或2或3或4所述的一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法，其特征在于：所述步骤2)中，健合前在隔离墙上涂覆胶水。2CCNN110233984202339855A说明书1/4页无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶圆级图像传感器封装结构的实现方法。属于半导体封装技术领域