用于制造X 射线阳极的方法和X 射线阳极.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103021761A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN103021761A(43)申请公布日2013.04.03(21)申请号201210363811.9(22)申请日2012.09.26(30)优先权数据102011083413.32011.09.26DE(71)申请人西门子公司地址德国慕尼黑(72)发明人J.弗罗伊登伯格S.兰彭舍夫S.沃尔特(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人任宇(51)Int.Cl.H01J9/02(2006.01)H01J35/10(2006.01)B23K26/36(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书66页页附图附图11页(54)发明名称用于制造X射线阳极的方法和X射线阳极(57)摘要本发明涉及一种用于制造X射线阳极（12）的方法，所述X射线阳极（12）包括至少在其焦点区域（10）内引入到X射线阳极基体的表面内的若干凹陷（14），其中，各凹陷（14）通过烧蚀方法引入到X射线阳极基体的表面内。在此，通过烧蚀方法在X射线阳极基体的表面内产生盲孔状凹陷（14），其中，各凹陷（14）至少基本上沿栅格状线布置。本发明此外涉及一种X射线阳极（12），所述X射线阳极（12）包括至少在其焦点区域（10）内引入到X射线阳极基体的表面内的凹陷（14），以及涉及一种所述X射线阳极（12）在X射线设备内的应用。CN103276ACN103021761A权利要求书1/2页1.一种用于制造X射线阳极（12）的方法，所述X射线阳极（12）包括至少在它的焦点区域（10）内引入到X射线阳极基体的表面内的若干凹陷（14），其中，各凹陷（14）通过烧蚀方法引入到X射线阳极基体的表面内，其特征在于，通过烧蚀方法在X射线阳极基体的表面内产生盲孔状凹陷（14），其中，各凹陷（14）至少基本上沿栅格状线布置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹陷（14）通过超短激光脉冲，特别是通过飞秒激光器、皮秒激光器和/或纳秒激光器，和/或通过电子束烧蚀方法引入到X射线阳极基体的表面内。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述凹陷（14）至少基本上限定了长方六面体形表面凸起（16）的边界。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述凹陷（14）以至少40μm的深度和/或以至多150μm的深度引入到X射线阳极基体的表面内。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，通过烧蚀方法附加地在X射线阳极基体的表面内产生缝隙形凹陷（14）。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，将缝隙形凹陷（14）以2μm至12μm之间的宽度引入到X射线阳极基体的表面内，和/或将缝隙形凹陷（14）以使相邻缝隙形凹陷（14）之间的距离在80μm至320μm之间的方式引入到X射线阳极基体的表面内。7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，将缝隙形凹陷（14）这样地引入到X射线阳极基体的表面内，使得比例B:A≤0.1，其中，B是所述缝隙形凹陷（14）的平均宽度，以μm为单位，且A是两个相邻的缝隙形凹陷（14）之间的平均距离，以μm为单位。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，将盲孔状凹陷（14）这样地引入到X射线阳极基体的表面内，使得比例A:D在1.0至3.0之间，其中A是两个相邻的盲孔状凹陷（14）之间的距离，以μm为单位，且D是盲孔状凹陷（14）的平均直径，以μm为单位。9.根据权利要求1至8中一项所述的方法，其特征在于，X射线阳极基体在将所述凹陷（14）引入到X射线阳极基体的表面内期间一次或多次相对于用于执行烧蚀方法的烧蚀设备定位。10.一种X射线阳极（12），所述X射线阳极（12）至少在它的焦点区域（10）内包括引入到X射线阳极基体的表面内的若干凹陷（14），其中，所述凹陷（14）通过烧蚀方法引入到X射线阳极基体的表面内，其特征在于，通过烧蚀方法在X射线阳极基体的表面内引入盲孔状凹陷（14），其中盲孔状凹陷（14）至少基本上沿栅格状线布置。11.根据权利要求10所述的X射线阳极（12），其特征在于，凹陷（14）的至少一个主要部分具有在2μm至12μm之间的宽度，和/或40μm至150μm之间的深度，和/或80μm至320μm之间的距离。12.根据权利要求10或11所述的X射线阳极（12），其特征在于，此盲孔状凹陷（14）包括在1.0至3.0之间的比例A:D，其中A是两个相邻的盲孔状凹陷（14）之间的距离，以μm为单位，且D是盲孔状凹陷（14）的平均直径，以μm为单位。13.根据权利要求10至12中一项所述的X射线阳极（12），其特征在于，所述X射线阳极（12）形成为X射线旋转阳极。14.一种通过根据权利要求1至9中任一项所述