半导体盲孔的检测方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103456657A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103456657103456657A(43)申请公布日2013.12.18(21)申请号201210174269.2(22)申请日2012.05.30(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾桃园县(72)发明人陈逸男徐文吉叶绍文刘献文(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223代理人江耀纯(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书4页说明书4页附图5页附图5页(54)发明名称半导体盲孔的检测方法(57)摘要本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率，且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后，利用带电射线照射多个盲孔。CN103456657ACN1034567ACN103456657A权利要求书1/1页1.一种半导体盲孔的检测方法，其特征在于，包括：提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出所述导电区的盲孔;于至少一所述多个盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其特征在于所述阻档层的电阻率大于所述导电区的电阻率，且所述阻档层和所述半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成所述各个阻档层后，利用带电射线照射所述多个盲孔。2.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述阻档层是一绝缘层。3.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述各个盲孔内没有填满导电材料。4.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，在利用所述带电射线照射所述多个盲孔后，还包括下列步骤之一：检测所述各个盲孔产生的二次电子强度；及检测所述各个盲孔的电位。5.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述各个盲孔具有不同深度。6.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述多个盲孔的深度均大于80微米。7.根据权利要求1所述半导体盲孔的检测方法，其特征在于，所述带电射线包含电子束或离子束。2CN103456657A说明书1/4页半导体盲孔的检测方法技术领域[0001]本发明涉及一种检测方法，特别是涉及一种半导体盲孔的检测方法。背景技术[0002]随着芯片和封装器件的不断微缩及元件集成度的逐渐提升，封装技术从最初的针脚插入式封装、球栅阵列端子型封装（BallGridArray,BGA）而发展到最新的三维封装技术（3DPackage）。由于三维封装可以提高互连线的密度、降低封装尺寸(formfactor)，因此具有很好的应用前景。一般来说，在晶圆级(wafer-level)三维封装技术中，是利用穿硅通孔（TSV,Through-Silicon-Via）当作芯片间的内连接路径。由于各硅通孔垂直于芯片，所以各芯片能够实现路径最短和集成度最高的互连．并且能够减少芯片面积、缓解互连延迟问题、并使逻辑电路的性能大大提高。[0003]对于前通孔(viafirst)的硅通孔制作工艺，工艺通常包括盲孔的形成(viaformation)、盲孔的填充(viafilling)、晶圆接合(waferbonding)等等步骤。举例来说，盲孔会先形成于芯片中，并被填充导电材料，然后再经过硅晶圆减薄（抛光）工艺，使盲孔的另一段被暴露出而成为一通孔。此通孔可以在之后的工艺中和另一芯片连接。为了判断盲孔的深度和良率，一般可以利用光学显微镜或电子束测试设备的电压对比模式(electronbeamvoltagecontrastmode)等检测设备来判断。但是，当半导体盲孔的深宽比不断提高，使其深度超过80微米(μm)时，光学显微镜就没有办法清楚观察到盲孔底部。且由于各盲孔的底部都会电连接具有导电性的硅材料，因此也无法利用电子束测试设备的电压对比模式准确分辨盲孔的深度和盲孔底部是否有残渣存在。发明内容[0004]本发明提供了一种半导体盲孔的检测方法，以解决现有技术的检测缺陷。[0005]为解决上述问题，本发明提供了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔;于至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率，且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后，利用带电射线照射多个盲孔。附图说明[0006]图1是本发明半导体衬底中具有多个盲孔的上视示意图。[0007]图2是沿着图1中切线2-2’的半导体衬底剖面示意图。[0008]图3是多个盲孔中填满有导电物质的上视示意图。[0009]图4是沿着图3中切线3-3’的半导体衬底剖面示意图。[0010]图5是多个