封装基板通孔的激光加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103687337103687337A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201310675001.1(22)申请日2013.12.11(71)申请人广州兴森快捷电路科技有限公司地址510663广东省广州市科学城光谱中路33号申请人深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司宜兴硅谷电子科技有限公司(72)发明人王名浩谢添华李志东(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人万志香曾旻辉(51)Int.Cl.H05K3/40(2006.01)B23K26/382(2014.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书5页说明书5页附图4页附图4页(54)发明名称封装基板通孔的激光加工方法(57)摘要本发明公开了一种封装基板通孔的激光加工方法，属于印制线路板技术领域。该方法包括定位通孔制作、激光加工通孔、镀铜、蚀刻工序，其中：定位通孔制作工序中，利用机械钻孔的方式在封装基板上制作定位通孔；激光加工通孔工序中，先在封装基板的一面，利用激光光束，于预定加工的通孔位置形成半通的盲孔结构；然后将封装基板翻到另一面，利用定位通孔定位后，在与该盲孔相对的位置，利用激光加工形成通孔。采用该方法可实现厚径比2:1以下产品的完全电镀填充，并且解决了由于药水交换不良导致的电镀过早闭塞的问题，提高了产品的可靠性。CN103687337ACN103687ACN103687337A权利要求书1/1页1.一种封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，包括定位通孔制作、激光加工通孔、镀铜、蚀刻工序，其中：定位通孔制作工序中，利用机械钻孔的方式在封装基板上制作定位通孔；激光加工通孔工序中，先在封装基板的一面，利用激光光束，于预定加工的通孔位置形成半通的盲孔结构；然后将封装基板翻到另一面，利用定位通孔定位后，在与该盲孔相对的位置，利用激光加工形成通孔。2.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述定位通孔制作工序中，在封装基板非功能区域制作至少一组定位通孔，每组定位通孔由至少四个孔径为0.5-3.5mm的机械通孔组成。3.根据权利要求2所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，以定位通孔为定位参照点，利用CCD自动识别定位系统进行定位。4.根据权利要求3所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当预定加工的通孔孔径≥100μm时，使用一组定位通孔进行定位；当预定加工的通孔孔径≥60而小于100μm时，使用至少两组定位通孔进行定位。5.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当预定加工的通孔孔径为60-90μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大25-35μm；当预定加工的通孔孔径为90-120μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大35-45μm；当预定加工的通孔孔径为120-150μm时，控制激光光束的直径比通孔孔径大45-55μm。6.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，采用CO2激光进行加工。7.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度＞3μm时，在定位孔制作和激光加工通孔工序之间，还包括开窗工序，所述开窗工序中，以图形转移和蚀刻的方式，去除预定加工为通孔位置表面的铜箔。8.根据权利要求6所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述激光加工通孔工序中，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度≤3μm时，控制激光能量为4-20毫焦，当封装基板表面覆盖的铜箔厚度＞3μm时，控制激光能量为2-10毫焦。9.根据权利要求1所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述镀铜工序中，包括除胶、化学沉铜和电镀铜步骤。10.根据权利要求8所述的封装基板通孔的激光加工方法，其特征在于，所述电镀铜时，控制8-20ASF的电流密度，30-90min的电镀时间。2CN103687337A说明书1/5页封装基板通孔的激光加工方法技术领域[0001]本发明涉及印制线路板技术领域，特别是涉及一种封装基板通孔的激光加工方法。背景技术[0002]作为半导体芯片的载体，封装基板的互联度随芯片集成度的提升而不断增加。降低导通孔的位置占比是提升基板互联度的有效方法之一。使用孔上盘结构可显著降低导通孔位置占比。该技术基于塞孔或电镀填孔工艺，可在导通孔上直接形成焊盘，最大程度的利用导通孔区域形成互联。目前国外同行多使用塞孔方式制作孔上盘结构，但该技术流程长，成本高且工艺不稳定。电镀填孔是近年发展起来的可靠性较高的高密度互联技术。但该技术一般应用于盲孔填充工艺，通孔在电镀时