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半导体器件及其制造方法.pdf
2023-06-27
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永梅****33
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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：在切割道区的第一沟槽上的光刻胶层中形成第一开口，且在器件区上的光刻胶层中形成第二开口，第一开口的底部保留部分厚度的光刻胶层，第二开口暴露出器件区的器件晶圆的顶表面；以及，执行刻蚀工艺，以去除第一开口的底部保留的光刻胶层，并在第一开口的底部的器件晶圆中形成第二沟槽，在第二开口的底部的器件晶圆中形成第三沟槽，第二沟槽的深度小于第三沟槽的深度。本发明的技术方案使得切割道区的用于制作对准标记的第二沟槽的深度与器件区的用于制作器件结构的第三沟槽的
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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成栅叠层；在所述栅叠层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述栅叠层；在所述停止层上形成牺牲层；将所述牺牲层图案化，使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留从而形成牺牲侧墙；采用所述栅叠层和所述牺牲侧墙作为第一硬掩模，在所述衬底上进行第一次离子注入，以形成源漏区；去除所述牺牲侧墙；以及采用所述栅叠层作为第二硬掩模，在所述衬底上进行第二次离子注入，以形成轻掺杂漏区。该方法采用同一个光致抗蚀剂掩模，采用牺牲侧墙作为附加的硬掩模形成源漏区，在去除牺
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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构；在栅极替换工艺中，形成虚设栅极和相邻结构，例如源极/漏极区域。使用定向蚀刻来至少部分地去除虚设栅极，以去除一些但并非全部的虚设栅极以形成沟槽。虚设栅极的一部分保留并保护相邻结构。然后可以在沟槽中形成栅极电极。可以采用两步骤工艺，首先使用各向同性蚀刻，然后进行定向蚀刻。
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