一种高纯镓粒的制备方法.pdf
王秋****哥哥
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一种高纯镓粒的制备方法.pdf
本发明涉及高纯金属技术领域,公开了一种高纯镓粒的制备方法。具体包括以下步骤:(1)提供制备高纯镓粒的装置;(2)将高纯镓放入手套箱,置于加热板上,使镓熔化待用;(3)对制粒管抽真空,再充氮气或惰性气体,取下制粒管顶部盲板,然后将漏斗放置在制粒管顶部;(4)开启循环冷却系统,使液体冷却剂充满产品收集槽和制粒管;(5)在手套箱内操作将镓液倒入漏斗中,使镓液滴入冷却剂中,在沉降过程冷凝成粒;(6)制粒完成后,将产品收集槽中的镓粒和冷却剂分离,镓粒放入手套箱过渡仓中抽真空、干燥,再进入主箱体中包装,得高纯镓粒产品
高纯三乙基镓的制备方法.pdf
本发明涉及一种高纯三乙基镓的制备方法,属于元素周期表第Ⅲ族金属化合物制备的技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤:(1)以乙醚为溶剂,制备三乙基镓粗品;(2)对步骤(1)得到的三乙基镓粗品进行纯化,所述纯化方法包括采用第一层析柱对所述三乙基镓粗品进行提纯的步骤;并且所述第一层析柱采用的固定相为接枝二氧化硅,所述接枝二氧化硅为表面接枝有三正辛胺的二氧化硅。本发明的制备方法采用合成和分离两个步骤得到了纯度可以达到6N的三乙基镓;尤其是采用的纯化方法结合了固液分离的手段,将特定的配位剂负载在二氧化硅上,不仅操作
99.99999%高纯镓的制备工艺.docx
99.99999%高纯镓的制备工艺概述高纯度的镓(Ga)是半导体产业中重要的材料之一,广泛用于太阳能电池、LED和半导体器件中。例如,用于制备高安全性半导体,其特性例如高电子迁移率和高能隙,因此它的纯度至关重要。本文将讨论制备高纯度镓的工艺方法。一、镓的特性镓是一种金属元素,它是与氧反应较弱的化学性质,使得镓在半导体工业中特别有用。严格来说,它并不是半导体,因为其本身的半导体带隙仅为0.67电子伏特。然而,与硅(Si)相比,镓有着更高的电子迁移率和更高的能隙,优点在于其在低电压下就可以实现高效的电信号放大
高纯锑粒的制备方法及生产设备.pdf
本发明公开了一种高纯锑粒的制备方法,步骤包括加热、加料、滴料、锑粒处理;本发明还公开了一种高纯锑粒的生产设备,包括与电控设备电连接的立式电阻炉、中间穿套在立式电阻炉内部且顶端密封的石英外套管、嵌套在石英外套管内部的底部开有小孔的石英锥形漏斗、位于立式电阻炉下方的石英冷却回收容器;本发明在生产过程中不使用任何化学试剂,对产品无沾污,且设备简单易操作,生产效率高,通过以上方法和设备生产的99.999%和99.9999%锑粒满足国标GB10117-88高纯锑科标准,可部分取代进口产品,本方法及设备不但能生产高纯
一种5N高纯硒粒的制备方法.pdf
本发明提供了一种5N高纯硒粒的制备方法,涉及冶金技术领域。本发明提供的5N高纯硒粒的制备方法包括以下步骤:(1)以纯度为4N的硒块作为原料,将硒块置于石英蒸馏炉的石英管中,管内抽真空;(2)控制石英管上段温度为280‑370℃,下段温度为240‑260℃,保温蒸馏;(3)调节石英管上段温度为200‑260℃,下段温度为220‑280℃,得到熔融硒液;(4)将熔融硒液转移至制粒熔炉内加热、搅拌捞渣后冷却制粒得到所述5N高纯硒粒。本发明采用火法冶炼的方法制备5N高纯硒粒,在上述制备步骤中,通过严格控制蒸馏温度