一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113174620A(43)申请公布日2021.07.27(21)申请号202110437208.XC25D17/08(2006.01)(22)申请日2021.04.22C25D5/48(2006.01)C25D5/02(2006.01)(71)申请人浙江集迈科微电子有限公司H01L21/768(2006.01)地址313100浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房(72)发明人冯光建黄雷高群郭西顾毛毛(74)专利代理机构无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙)32517代理人屠志力(51)Int.Cl.C25D7/12(2006.01)C25D5/08(2006.01)C23C14/14(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图6页(54)发明名称一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法。本发明的电镀方法包括以下步骤：在基材上形成通孔，在基材的表面制作钝化层，并在钝化层上形成种子层；制作辅助载具，并在所述辅助载具表面对应制作焊接点，然后在载具表面制作微流道槽；把所述辅助载具与基材结合成为复合片，把复合片放置在电镀机中电镀，电镀液通过喷射方式向基材表面喷射液体；电镀完成后基材的两面及通孔内均形成金属层，对去除辅助载后的转接板进行双面抛光，得到带有TSV金属柱的转接板。本发明用通孔工艺代替原来的盲孔工艺，在基材的表面形成种子层以实现深TSV通孔的导电，通过背面吸药液的方式，加快TSV孔内的药液更换，实现深孔的侧壁电镀。CN113174620ACN113174620A权利要求书1/1页1.一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在基材（101）的一面制作TSV盲孔（102），减薄所述基材（101）的另一面使TSV盲孔（102）底部露出形成通孔（102’），在所述基材（101）的表面制作钝化层（103），并在所述钝化层（103）上形成种子层（104）；步骤S2，制作辅助载具（105），参照基材上所述通孔（102’）的分布情况，在所述辅助载具（105）表面对应制作焊接点（106），然后通过刻蚀或者腐蚀工艺在载具表面制作微流道槽（107）；步骤S3，通过焊接或者粘接的方式把所述辅助载具（105）与基材（101）结合成为复合片，把复合片放置在电镀机中电镀，电镀液通过喷射方式向基材表面喷射液体；步骤S4，电镀完成后，所述基材（101）的上下表面及通孔（102’）侧壁均形成有金属层（108），去除辅助载具（105）得到转接板，对所述转接板进行双面抛光，得到带有TSV金属柱的厚度不小于300μm的转接板。2.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述TSV盲孔（102）通过光刻刻蚀工艺形成在所述基材（101）表面，孔直径为10‑100μm，孔深度为300‑1000μm，并且孔深度与孔直径的比值不小于10。3.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述钝化层（103）为氧化硅层、氮化硅层或热氧化层，厚度为0.01‑100μm。4.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述种子层（104）通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺形成在所述钝化层（103）上。5.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述种子层（104）是一层或多层，采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡和镍中的一种或多种制成，厚度为0.001‑100μm。6.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述基材（101）和/或辅助载具（105）采用晶圆，300μm<基材厚度≤2000μm。7.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述基材（101）和/或辅助载具（105）采用无机材料或有机材料，300μm<基材厚度≤2000μm。8.根据权利要求7所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述无机材料为玻璃、石英、碳化硅或氧化铝，所述有机材料为环氧树脂或聚氨酯。9.根据权利要求1所述的镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法，其特征在于，所述微流道槽（107）通过刻蚀或腐蚀工艺形成在所述辅助载具（105）表面，槽深度为10‑500μm。2CN113174620A说明书1/5页一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种镀液流速加强型TSV金属柱的电镀方法。背景技术[0002]毫米波射频技术在半