坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114267403A(43)申请公布日2022.04.01(21)申请号202111485275.5(22)申请日2021.12.07(71)申请人杭州海康存储科技有限公司地址310051浙江省杭州市滨江区丹枫路399号2号楼B楼307室(72)发明人万婷霍文捷刘璨冯星(74)专利代理机构北京博思佳知识产权代理有限公司11415代理人杨春香(51)Int.Cl.G11C29/42(2006.01)G11C29/18(2006.01)G11C29/12(2006.01)G06F12/0882(2016.01)权利要求书3页说明书12页附图6页(54)发明名称坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质(57)摘要本申请提供了坏块识别方法、装置、电子设备以及机器可读存储介质。本申请实施例中，即使在存储设备的读操作中发现通过ECC无法纠正的读错误，也不会盲目地直接将该出现读错误的UECC页所在的目标块标记为坏块，而是通过对UECC页所在的目标字线上的页执行读操作，借助存储设备在对目标字线上的页执行读操作时得到的电压分布数据分析引起上述读错误的因素为永久性因素还是非永久性因素，只有在分析出引起上述读错误的因素为永久性因素时，才会将上述UECC页所处的目标块标记为坏块，避免了正常块被标记成坏块，减少存储空间的浪费，也会提高存储设备的使用寿命。CN114267403ACN114267403A权利要求书1/3页1.一种坏块识别方法，其特征在于，该方法应用于主机，包括：获得存储设备中UECC页的物理块地址PBA；所述UECC页是指在读操作中出现通过错误纠正码ECC无法纠正的读错误的页Page；向所述存储设备下发针对目标字线WL上的页执行读操作的读命令；所述目标字线为所述物理块地址对应的所述UECC页所在的字线；所述读命令至少携带：所述目标字线上的页在被执行读操作时施加的对应的读参考电压；获得所述目标字线上的页在被施加对应的读参考电压以执行所述读操作时的电压分布数据；依据所述电压分布数据识别所述UECC页所处的物理块Block是否为坏块。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获得存储设备中UECC页的物理块地址之后，该方法进一步包括：将所述物理块地址存放至所述存储设备对应的PBA队列；所述向所述存储设备下发针对目标字线WL上的页执行读操作的读命令包括：在检测到针对所述PBA队列中所述物理块地址的命令触发事件的情况下，向所述存储设备下发针对目标字线WL上的页执行读操作的读命令。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，检测到所述命令触发事件包括：在检测到所述物理块地址在所述PBA队列中的存储时长达到预设时长、和/或所述存储设备处于空闲状态的情况下，确定检测到所述命令触发事件。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在向所述存储设备下发针对目标字线WL上的页执行读操作的读命令后，该方法进一步包括：从所述PBA队列中删除所述物理块地址。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标字线上的每一页被预先设置至少一个读取电压水平范围ReadLevel；所述目标字线上的页在被执行读操作时施加的对应的读参考电压包括：所述目标字线上的页被设置的至少一个ReadLevel中的至少一个电压。6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述电压分布数据是通过将所述目标字线上各页对应的状态分布数据进行合并得到；所述目标字线上的页对应的状态分布数据至少包括：所述目标字线上的页被施加的各读参考电压对应的状态数据；其中，任一读参考电压对应的状态数据依据第一导通存储单元数量和第二导通存储单元数量确定；所述第一导通存储单元数量是所述读参考电压在被施加至所述目标字线上的页执行读操作时该页中漏极和源极导通的基本存储单元的数量；所述第二导通存储单元数量是所述读参考电压的邻居读参考电压在被施加至所述目标字线上的页执行读操作时该页中漏极和源极导通的基本存储单元的数量，所述邻居读参考电压与所述读参考电压属于同一ReadLevel且大于所述读参考电压。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述读参考电压对应的状态数据包括所述第一导通存储单元数量和第二导通存储单元数量之差的绝对值。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据所述电压分布数据识别所述UECC页所处的物理块是否为坏块，包括：将所述电压分布数据输入已训练的坏块判别模型，根据模型输出结果，确定所述UECC页所处的物理块是否为坏块。2CN114267403A权利要求书2/3页9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述坏块判别模型通过以下方式训练：收集样本数据，所述样本数据至少包括：在出现通过ECC无法纠正的各种标注读错误时对应的