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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115142099A(43)申请公布日2022.10.04(21)申请号202210732337.6(22)申请日2022.06.24(71)申请人厦门大学地址361000福建省厦门市思明南路422号(72)发明人詹东平金磊郑安妮王赵云杨家强杨防祖田中群(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204专利代理师姜谧(51)Int.Cl.C25D3/38(2006.01)C25D7/00(2006.01)H05K3/18(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种用于PCB盲孔铜致密填充的低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用(57)摘要本发明公开了一种低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用,由去离子水、无机二价铜盐、配位剂、pH缓冲剂和整平剂组成。本发明以含羟基和/或羧基有机物为二价铜离子配位剂,结合特定组成和含量的pH缓冲剂、整平剂,实现PCB盲孔致密填充,具有组成简单、低铜盐浓度、弱碱性、低腐蚀性、易于调控等特点。CN115142099ACN115142099A权利要求书1/1页1.一种用于PCB盲孔铜致密填充的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:由去离子水、无机二价铜盐、配位剂、pH缓冲剂和整平剂组成,其中,无机二价铜盐,为五水硫酸铜、三水硝酸铜或无水醋酸铜,其在所述低铜盐弱碱性电子电镀铜液中的浓度为20‑50g/L,且二价铜离子的浓度为5.1‑17.6g/L,配位剂,为葡萄糖酸盐、酒石酸盐、柠檬酸盐或乙二胺四乙酸盐,其与上述二价铜离子的摩尔比为2‑6∶1,pH缓冲剂,由四硼酸钠和碳酸氢钠组成,且四硼酸钠和碳酸氢钠的总和在所述低铜盐弱碱性电子电镀铜液中的浓度为24‑60g/L,整平剂,由含氮杂环化合物和炔醇类化合物以10∶1‑4的质量比组成,且含氮杂环化合物和炔醇类化合物在所述低铜盐弱碱性电子电镀铜液中的浓度分别4‑20g/L和0.4‑8g/L。2.如权利要求1所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述配位剂在所述低铜盐弱碱性电子电镀铜液中的浓度为29.5‑554.4g/L。3.如权利要求1所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述四硼酸钠和碳酸氢钠的质量比为1‑5∶1。4.如权利要求1所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述含氮杂环化合物为苯并咪唑、胸腺嘧啶、丁二酰亚胺、乙内酰脲、二甲基乙内酰脲、烟酸、烟酰胺、组氨酸和脯氨酸中的至少一种。5.如权利要求4所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述含氮杂环化合物为丁二酰亚胺、二甲基乙内酰脲或脯氨酸。6.如权利要求1所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述炔醇类化合物为丁炔二醇、二丙氧基丁炔二醇、丙炔醇和二乙氨基戊炔二醇中的至少一种。7.如权利要求6所述的一种低铜盐弱碱性电子电镀铜液,其特征在于:所述炔醇类化合物为丁炔二醇或丙炔醇。8.一种用于PCB盲孔铜致密填充的电镀方法,其特征在于:应用权利要求1至7中任一权利要求所述的低铜盐弱碱性电子电镀铜液。9.如权利要求8所述的电镀方法,其特征在于:包括:将所述低铜盐弱碱性电子电镀铜液的pH调节至8.0‑10.5,设定温度为25‑65℃以及传质方式,并设定三段电流控制,依此进行电镀。10.如权利要求9所述的电镀方法,其特征在于:所述三段电流控制为:a、0.2‑0.5A/dm2、5‑20min,b、0.8‑1.2A/dm2、20‑40min,c、1.8‑2.2A/dm2、30‑50min。2CN115142099A说明书1/4页一种用于PCB盲孔铜致密填充的低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用技术领域[0001]本发明属于电子电镀技术领域,具体涉及一种用于PCB盲孔铜致密填充的低铜盐弱碱性电子电镀铜液及其应用。背景技术[0002]印制电路板(PCB)产业在全球电子产品制造供应链中占据重要的地位。PCB是所有电子系统的核心部件之一,可作为众多器件(如集成电路、电阻、电容和电感等)的载体,被誉为“电子产品之母”。盲孔作为PCB中最基本的孔结构之一,需被金属无孔隙致密填充以实现内外线路的高质量互连。金属铜拥有较高的抗电迁移能力、优良的导热(401W·m‑1K‑1)和导电性(1.67μΩ.cm),故被作为填充金属。酸性硫酸盐电子电镀铜是实现盲孔无孔隙填充的最常用工艺。[0003]本领域公知,PCB盲孔因其特殊的几何结构,电流在孔内和孔表面分布不均匀。铜在孔表面沉积速率高于孔底部沉积速率,导致孔口快速封闭或孔内形成空洞。为实现无孔隙致密填充,现有技术普遍采用的具有高铜盐浓度的酸性镀铜液(五水硫酸铜180g/L以上),其中需要添加各种低浓度添加剂(低于100mg/L,如抑制剂、加速剂和整平剂)。但是,由于各添加剂消耗速率不