热传导结构及其形成方法、芯片及芯片堆叠结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115642127A(43)申请公布日2023.01.24(21)申请号202110821367.XH01L23/482(2006.01)(22)申请日2021.07.20(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人刘志拯(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270专利代理师高天华张颖玲(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L23/367(2006.01)H01L23/48(2006.01)H01L25/065(2023.01)H10B80/00(2023.01)权利要求书3页说明书9页附图8页(54)发明名称热传导结构及其形成方法、芯片及芯片堆叠结构(57)摘要本申请实施例提供一种热传导结构及其形成方法、芯片及芯片堆叠结构，其中，热传导结构的形成方法包括：提供衬底；其中，所述衬底上至少形成有介质层；形成硅通孔和至少一个硅盲孔，其中，所述至少一个硅盲孔位于所述硅通孔的至少一侧；所述硅通孔贯穿所述衬底和所述介质层；每一所述硅盲孔未贯穿所述衬底。CN115642127ACN115642127A权利要求书1/3页1.一种热传导结构形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；其中，所述衬底上至少形成有介质层；形成硅通孔和至少一个硅盲孔，其中，所述至少一个硅盲孔位于所述硅通孔的至少一侧；所述硅通孔贯穿所述衬底和所述介质层；每一所述硅盲孔未贯穿所述衬底。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底还包括在所述介质层上形成的金属层；所述硅通孔着陆于所述金属层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质层在所述衬底的第一面上形成；所述形成硅通孔和至少一个硅盲孔，包括：以所述衬底的第二面为刻蚀起点，刻蚀所述衬底和所述介质层，形成贯穿所述衬底和所述介质层的硅通孔；其中，所述衬底的第二面是与所述衬底的第一面在所述衬底的厚度方向上相对的面；以所述衬底的第二面为刻蚀起点，刻蚀所述衬底，形成未贯穿所述衬底的至少一个硅盲孔。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质层在所述衬底的第一面上形成；所述形成硅通孔和至少一个硅盲孔，包括：以所述衬底的第二面为刻蚀起点，刻蚀所述衬底，形成未贯穿所述衬底的至少两个盲孔，其中，所述衬底的第二面是与所述衬底的第一面在所述衬底的厚度方向上相对的；继续刻蚀所述至少两个盲孔中的一所述盲孔，形成所述硅通孔；在所述至少两个盲孔的其余每一所述盲孔中形成一所述硅盲孔。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述继续刻蚀所述至少两个盲孔中的一所述盲孔，形成所述硅通孔，包括：继续刻蚀所述至少两个盲孔中位于所述衬底中间的所述盲孔，形成所述硅通孔。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述继续刻蚀所述至少两个盲孔中的一所述盲孔，形成所述硅通孔，包括：在所述其余每一所述盲孔上形成阻挡层；刻蚀掉所述硅通孔对应的盲孔内的所述衬底和所述介质层，形成所述硅通孔；去除所述阻挡层。7.根据权利要求6述的方法，其特征在于，所述刻蚀掉所述硅通孔对应的盲孔内的所述衬底和所述介质层，形成所述硅通孔，包括：刻蚀掉所述盲孔内的所述衬底和所述介质层，形成通孔；在所述通孔内依次形成绝缘层、阻挡层、种子层和导电层，得到所述硅通孔；所述在所述至少两个盲孔的其余每一所述盲孔中形成一所述硅盲孔，包括：在所述其余每一所述盲孔内依次形成绝缘层、阻挡层、种子层和导电层，得到一所述硅盲孔。8.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，在所述硅通孔和每一所述硅盲孔内包括依次形成的绝缘层、阻挡层、种子层和导电层；其中，所述绝缘层的厚度为至9.根据权利要求8所述的方法，其中，相邻的所述硅通孔的所述绝缘层和一所述硅盲孔的所述绝缘层之间，和/或，相邻的两个所述硅盲孔的所述绝缘层之间的距离为1.5μm。10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述硅通孔中的所述绝缘层的厚度大于所述硅盲孔中的所述绝缘层的厚度。2CN115642127A权利要求书2/3页11.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述介质层在所述衬底的第一面上形成；还包括：在所述衬底的第二面形成与所述至少一个硅盲孔和所述硅通孔互连的再分布层，其中，所述衬底的第二面是与所述衬底的第一面在所述衬底的厚度方向上相对的面。12.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，还包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成所述浅沟槽隔离层、所述介质层和所述金属层。13.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，还包括：所述衬底的厚度为40μm至70μm；所述硅通孔和所述至少一个硅盲孔的直径为2μm至10μm；所述硅通孔的深