一种埋入式元器件基板及其制备方法和应用.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939057A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211492235.8(22)申请日2022.11.25(71)申请人深圳市纽菲斯新材料科技有限公司地址518105广东省深圳市光明区马田街道石家社区后底坑水库工业区8号301(72)发明人沈榆程何岳山杨柳刘飞许伟鸿刘汉成练超李东伟王粮萍(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659专利代理师牛海燕(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图2页(54)发明名称一种埋入式元器件基板及其制备方法和应用(57)摘要本发明提供一种埋入式元器件及其制备方法和应用。所述基板包括依次叠加设置的第一绝缘层、至少2层复合层、第一树脂层、芯层、第二树脂层、至少2层复合层、第二绝缘层和锡焊球；所述芯层中设置有通孔，通孔中设置有元器件；所述复合层、第一树脂层、第二树脂层中设置有盲孔，盲孔的位置与通孔的位置相对应；所述复合层包括相贴合的树脂层和线路层。本发明中通过将元器件设置于芯层通孔中，通过立体式分布，合理运用了基板空间，且制备得到的基板具有较好的介电性能和较低的热膨胀系数，适用于SiP封装。CN115939057ACN115939057A权利要求书1/2页1.一种埋入式元器件基板，其特征在于，所述基板包括依次叠加设置的第一绝缘层、至少2层复合层、第一树脂层、芯层、第二树脂层、至少2层复合层、第二绝缘层和锡焊球；所述芯层中设置有通孔，通孔中设置有元器件；所述复合层、第一树脂层、第二树脂层中设置有盲孔，盲孔的位置与通孔的位置相对应；所述复合层包括相贴合的树脂层和线路层。2.根据权利要求1所述的埋入式元器件基板，其特征在于，所述元器件与芯层通孔内壁之间填充有树脂；优选地，所述元器件选自裸片、电阻、电容中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述元器件的厚度≤芯层的厚度，所述元器件的厚度为0.4～3mm；优选地，所述元器件的长度＜通孔的长度，所述元器件的长度为2～3mm；优选地，所述元器件的宽度＜通孔的宽度，所述元器件的宽度为2～3mm。3.根据权利要求1或2所述的埋入式元器件基板，其特征在于，所述芯层的材料选自陶瓷基板、BT树脂基板、聚酯基板或聚酰亚胺基板中的任意一种；优选地，所述芯层的热膨胀系数≤30ppm·K‑1；优选地，所述芯层的厚度为0.4～3mm；优选地，所述芯层的介电损耗为0.003～0.1。4.根据权利要求1‑3任一项所述的埋入式元器件基板，其特征在于，所述第一树脂层和第二树脂层的厚度各自独立地为10～400μm；优选地，所述第一树脂层和第二树脂层的热膨胀系数各自独立地≤25ppm·K‑1；优选地，所述第一树脂层和第二树脂层的介电损耗各自独立地为0.003～0.1。5.根据权利要求1‑4任一项所述的埋入式元器件基板，其特征在于，所述线路层嵌入在树脂层贴近芯层的一侧；优选地，所述复合层中树脂层的热膨胀系数≤25ppm·K‑1；优选地，所述复合层中树脂层的介电损耗为0.003～0.1；优选地，所述复合层的厚度为10～400μm；优选地，所述埋入式元器件基板中复合层的层数为4～50层，进一步优选为4～30层；优选地，所述盲孔中设置有导电层，所述导电层与线路层、元器件和锡焊球连接。6.根据权利要求1‑5任一项所述的埋入式元器件基板，其特征在于，所述第一绝缘层和第二绝缘层的材料各自独立地选自绝缘胶膜或绝缘介质胶膜中的任意一种；优选地，所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度各自独立地为10～100μm；优选地，所述第一绝缘层远离芯层的一侧还设置有锡焊球。7.一种如权利要求1‑6任一项所述的埋入式元器件基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(S1)将元器件放置于芯层的通孔中，通过粘贴在BGTape上进行定位；(S2)在芯层远离BGTape的一侧放置第一树脂层的材料，进行压合；(S3)去除BGTape，在芯层的另一侧放置第二树脂层的材料，进行压合，得到依次叠加设置的第一树脂层、芯层、第二树脂层；(S4)通过半加成法，在第一树脂层远离芯层的一侧，进行激光钻孔、去沾污、化学铜、图2CN115939057A权利要求书2/2页形转移、图形电镀下填盲孔、去膜、闪蚀，形成线路层，然后在线路层远离芯层的一侧压合树脂层的材料，得到一层复合层；重复上述步骤，在第一树脂层远离芯层的一侧制备至少两层复合层；(S5)重复步骤(S4)，在第二树脂层远离芯层的一侧制备至少两层复合层；(S6)在芯层两侧的复合层表面分别制备第一绝缘层和第二绝缘层；(S7)在第二绝缘层远离芯层的一侧制备锡焊球，得到所述埋入式元器件基板。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(S2)和步骤