薄膜光伏面板及其制造方法.pdf
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薄膜光伏面板及其制造方法.pdf
本发明提供一种薄膜光伏面板及其制造方法。薄膜光伏面板包含:一透明基板;数个光伏电池,平行配置在该透明基板上,每一该些光伏电池包含一透明导电氧化层、一半导体层及一金属背电极;至少一金属胶带,位于该些金属背电极中的至少一者上,其中该金属胶带具有至少一冲孔且包含:一粘着层,直接位于该金属背电极上;及一导电层,位于该粘着层上,其中环绕该冲孔的该导电层经反转而直接接触该金属背电极。本发明通过具有导电层及粘着层的打洞的金属胶带,以代替已知金属带。环绕冲孔的导电层可反转至该金属带的背面,以直接接触光伏电池的金属背电极。
光伏面板及其制造方法.pdf
本发明揭露一种光伏面板及其制造方法。光伏单元具有单一基材,且被包覆于一保护性高分子层中。光伏面板制造方法包含以下步骤。提供一基材,其具有一第一表面及相对的一第二表面。形成一光伏电池在基材的第一表面以形成一光伏单元。包覆一保护性高分子层于光伏单元周围,其中保护性高分子层的部分延伸越过基材的第一表面。对保护性高分子层进行热处理,借以收缩保护性高分子层,进而使保护性高分子层的部分密封第一表面及第二表面的所有边缘。
用于制造薄膜光伏系统的方法以及薄膜光伏系统.pdf
本发明描述了一种用于制造薄膜光伏系统(2)的方法,该系统具有作为阳光吸收体的平面金属硫族化合物半导体层(7)以及施加在所述金属硫族化合物半导体层上的金属层(8),其中所述金属硫族化合物半导体层(7)和所述金属层(8)在其接触面上形成肖特基触点。所述技术方案的特征在于,通过将含有直径为约3nm至约30nm的纳米级颗粒的分散体施加到透明基材(12)上而制成所述金属硫族化合物半导体层(7),其中施加到基材上的所述金属硫族化合物半导体层(7)的层厚度为约150nm至约2500nm。
光伏组件面板及其制作方法、光伏组件.pdf
本发明实施例公开了一种光伏组件面板及其制作方法,以及包括该光伏组件面板的光伏组件,其中,所述光伏组件面板在包括该光伏组件面板的光伏组件中用于接受阳光照射,包括:玻璃基板以及位于所述玻璃基板表面的第一胶层,玻璃基板内形成均匀分布的微米级气泡,且在玻璃基板制备出后立即对其表面进行等离子体处理产生均匀绒面结构,然后立即敷设第一胶层。本发明所提供的光伏组件面板为一体结构,通过玻璃基板中形成的气泡,解决了由于所述玻璃基板与EVA胶层之间引入异物而导致光伏组件不合格的问题,提高了包括该光伏组件面板的光伏组件的合格率。
光伏电池及其制造方法、光伏组件.pdf
本申请实施例涉及太阳能领域,提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件,光伏电池包括:基底;钝化层,位于基底一侧的表面上,沿垂直于基底指向钝化层的方向上,钝化层包括相邻的第一区和第二区;其中,第一区和第二区中掺杂有相同类型的掺杂元素,第二区具有远离基底的参考面,沿参考面的中心指向第一区的方向上,以及沿参考面的中心指向第二区内部的方向上,掺杂元素在第二区中的掺杂浓度均呈逐渐降低的趋势,且掺杂元素在第一区中的掺杂浓度小于等于在第二区中的最小掺杂浓度。本申请实施例至少有利于在降低第一区对光的吸收率的同时,提高钝化层