用于光伏电池导体中的玻璃组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102348657A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102348657A(43)申请公布日2012.02.08(21)申请号201080012661.6H01B1/16(2006.01)(22)申请日2010.04.08H01L29/43(2006.01)H01L31/0224(2006.01)(30)优先权数据H01L21/02(2006.01)61/167,9002009.04.09US(85)PCT申请进入国家阶段日2011.09.14(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0303402010.04.08(87)PCT申请的公布数据WO2010/118198EN2010.10.14(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人B·J·劳克林A·F·卡罗尔K·W·杭Y·王(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明(51)Int.Cl.C03C3/064(2006.01)C03C8/06(2006.01)权利要求书1页说明书11页附图1页(54)发明名称用于光伏电池导体中的玻璃组合物(57)摘要本发明涉及可用于导体浆料的玻璃组合物，其中所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。所述玻璃料包含下列以重量％来表示的组分：SiO217-26％；B2O32-9％；氟1-17％；铋47-75％。CN102348657ACCNN110234865702348676A权利要求书1/1页1.组合物，所述组合物包含：(a)一种或多种导电材料；(b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料的至少一种包含按所述玻璃组合物的重量％计：17-26重量％的SiO2；2-9重量％的B2O3；1-17重量％的氟；47-75重量％的铋；(c)有机载体。2.权利要求1的组合物，其中所述铋选自：Bi2O3和BiF3，并且其中按所述玻璃组合物的重量％计，所述Bi2O3+BiF3为55-85重量％。3.权利要求1的组合物，其中所述氟选自：NaF、LiF、BiF3、和KF。4.权利要求1的组合物，所述组合物进一步包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。5.权利要求4的组合物，其中所述添加剂的至少一种包含ZnO、或在焙烧时形成ZnO的化合物。6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为所述总组合物的1至6重量％。7.权利要求1的组合物，其中所述导电材料包括银。8.权利要求7的组合物，其中所述银为所述组合物中的固体的90至99重量％。9.权利要求5的组合物，其中所述ZnO为所述总组合物的2至10重量％。10.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜、以及权利要求1的厚膜组合物；(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，(c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的所述绝缘膜上，以及(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物。11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含一种或多种组分，所述组分选自：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。12.由权利要求10的方法制造的半导体装置。13.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧之前包含权利要求1的组合物。14.包括权利要求13的半导体装置的太阳能电池。15.半导体装置，所述半导体装置包括半导体基板、绝缘膜和正面电极，其中所述正面电极包含一种或多种组分，所述组分选自：硅酸锌、硅锌矿和硅酸铋。2CCNN110234865702348676A说明书1/11页用于光伏电池导体中的玻璃组合物发明领域[0001]本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的包含玻璃料的导电性厚膜组合物。[0002]发明背景[0003]具有p型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面(也称为光照面和受光面)的负极和可位于相对面的正极。在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为金属化的硅片形式，即，具有导电的金属触点。[0004]需要具有改善的电气性能和制备方法的组合物、结构(例如半导体、太阳能电池或光电二极管结构)以及半导体装置(例如半导体、太阳能电池或光电二极管装置)。[0005]发明概述[0006]本发明的实施方案所涉及的组合物包括：(a)一种或多种基于玻璃组