用于光伏电池的导体中的玻璃组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102652118A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102652118A(43)申请公布日2012.08.29(21)申请号201080056608.6C03C8/18(2006.01)(22)申请日2010.12.20H01L31/0224(2006.01)H01B1/16(2006.01)(30)优先权数据H01B1/22(2006.01)12/641,4842009.12.18US(85)PCT申请进入国家阶段日2012.06.13(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0611902010.12.20(87)PCT申请的公布数据WO2011/075714EN2011.06.23(71)申请人E·I·内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人A·F·卡罗尔K·W·杭G·劳迪辛奥B·J·劳克林(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明(51)Int.Cl.C03C8/06(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书1414页页附图附图11页(54)发明名称用于光伏电池的导体中的玻璃组合物(57)摘要本发明涉及可用于导体浆料的玻璃组合物，所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。CN102658ACN102652118A权利要求书1/1页1.组合物，所述组合物包含：(a)一种或更多种导电材料；(b)一种或更多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含：SiO2；B2O3；Bi2O3；0.1-3重量%的CeO2；1-10重量%的F；和1-3重量%的Na+Li+K；和(c)有机介质。2.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料中的至少一种还包含一种或更多种选自以下的组分：Ca、CaO、Mg、MgO、Sr、SrO、Ba和BaO。3.权利要求1的组合物，其中CeO2为0.75-2.5重量%。4.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料中的至少一种还包含一种或更多种选自以下的组分：ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5和ZrO2。5.权利要求1的组合物，其中所述导电材料包括Ag。6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为所述总组合物的4-8重量%。7.权利要求1的组合物，其中所述导电材料为所述总组合物的75-85重量%。8.组合物，所述组合物包含：(a)一种或更多种导电材料；(b)一种或更多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含：2.5-8重量%的SiO2；3-10重量%的B2O3；25-80重量%的Bi2O3；0.1-3重量%的CeO2；1-10重量%的F；和1-3重量%的Na+Li+K；和(c)有机介质。9.权利要求1的组合物，其中Na选自：NaO、Na2F、以及它们的混合物；其中Li选自：Li2O、LiF、以及它们的混合物；并且其中K选自：K2O、KF、以及它们的混合物。10.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体基底、一个或更多个绝缘膜、以及权利要求1所述的组合物；(b)将所述绝缘膜施加到所述半导体基底，(c)将所述厚膜组合物施加到所述半导体基底上的绝缘膜，以及(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物。11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含一种或更多种选自以下的组分：氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。12.由权利要求10的方法制造的半导体装置。13.半导体装置，包括电极，其中所述电极在焙烧之前包含权利要求1所述的组合物。14.太阳能电池，包括权利要求13所述的半导体装置。15.半导体装置，包括半导体基底、绝缘膜和正面电极，其中所述正面电极包含一种或更多种选自以下的组分：硅酸锌、硅锌矿和硅酸铋。2CN102652118A说明书1/14页用于光伏电池的导体中的玻璃组合物发明领域[0001]本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的包含玻璃料的导电性厚膜组合物。[0002]发明背景[0003]具有p型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面（也称为光照面和受光面）的负极和可位于相对面的正极。在半导体的p-n结上入射的适宜波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为已被金属化的硅片形式，即具有导电的金属触点。[0004]需要具有改善的电性能的组合物、结构（例如半导体、太阳能电池或光电二极管结构）和半导体装置（例如半导体、太阳能电池或光电二极管装置），以及制备方法。[0005]发明概述[0006]本发明的一个实施方案涉及组合物，其包含：(a)一种或更多种导电材料；(b)一种或更多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种基于玻璃组合物的重量%包含：S