透明导电复合膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102421600A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102421600A(43)申请公布日2012.04.18(21)申请号201080020278.5代理人李丙林张英(22)申请日2010.05.11(51)Int.Cl.(30)优先权数据B32B33/00(2006.01)0908300.72009.05.14GBB32B37/04(2006.01)H01B1/22(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H01B1/24(2006.01)2011.11.08(86)PCT申请的申请数据PCT/GB2010/0009372010.05.11(87)PCT申请的公布数据WO2010/130986EN2010.11.18(71)申请人杜邦帝人薄膜美国有限公司地址美国弗吉尼亚州(72)发明人格扎维埃·G·P·博里斯-阿泽奥蒂纳·怀特(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240权利要求书2页说明书17页(54)发明名称透明导电复合膜(57)摘要本发明公开了一种用于制造透明导电膜的方法，所述透明导电膜包含：(i)包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底，其中所述基层聚合物材料的软化温度为TS-B，所述粘合层聚合物材料的软化温度为TS-HS；和(ii)包含多条纳米线的导电层，其中所述纳米线由所述粘合层聚合物基质粘合以便所述纳米线至少部分地分散在所述粘合层聚合物基质中，所述方法包含以下步骤：提供包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底；将所述纳米线布置在所述粘合层暴露表面上；和将所述复合膜加热至温度T1，其中T1等于或大于TS-HS并且T1比TS-B低至少约5℃；本发明还公开了由所述方法获得的透明导电膜。CN10246ACCNN110242160002421612A权利要求书1/2页1.一种用于制造透明导电膜的方法，所述透明导电膜包含：(i)聚合物基底，包含聚合物基层和聚合物粘合层，其中，所述基层的聚合物材料的软化温度为TS-B，所述粘合层的聚合物材料的软化温度为TS-HS；和(ii)导电层，包含多条纳米线，其中，所述纳米线通过所述粘合层的聚合物基质粘合，使得所述纳米线至少部分地分散在所述粘合层的聚合物基质中，所述方法包括以下步骤：提供包含聚合物基层和聚合物粘合层的聚合物基底；将所述纳米线布置在所述粘合层的暴露表面上；以及将复合膜加热至温度T1，其中，T1等于或大于TS-HS，并且T1比TS-B低至少约5℃。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将所述纳米线分散在液体介质中并将含有所述纳米线的液体涂布到所述粘合层的暴露表面上，从而将所述纳米线布置在所述粘合层的暴露表面上。3.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述导电膜在可见光范围内的总光透射率(TLT)为至少65％。4.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述导电膜表现出不大于50％的浊度。5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述聚合物基底是聚酯基底。6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述基层的聚酯选自聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯。7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述粘合层是共聚酯。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述共聚酯选自：(i)衍生自乙二醇、对苯二甲酸和间苯二甲酸的共聚酯；(ii)衍生自对苯二甲酸、脂肪族二羧酸和二醇的共聚酯；和(iii)衍生自对苯二甲酸、乙二醇和1，4-环己烷二甲醇的共聚酯。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述共聚酯是衍生自乙二醇、对苯二甲酸和间苯二甲酸的共聚酯，其中，所述对苯二甲酸组分与所述间苯二甲酸组分的摩尔比为25∶75～85∶15。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述共聚酯是衍生自对苯二甲酸、脂肪族二羧酸和乙二醇的共聚酯，其中，所述对苯二甲酸组分与所述脂肪族二羧酸组分的摩尔比为约50∶50～约70∶30。11.根据权利要求8或10所述的方法，其中，所述共聚酯衍生自对苯二甲酸、壬二酸和乙二醇。12.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，将所述粘合层和基层共挤出。13.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述基底的总厚度不大于350μm。14.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述透明导电膜的薄层电阻小于100,000欧姆/平方。15.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述纳米线是金属纳米线。16.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述纳米线是银纳米线。17.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中，所述纳米线是碳纳米管。18.根据权利要求1至17中任一项所述的方法，其中，在膜制造工序完成后，将所述导电层施加到所述基底的粘合层的表面上，其中，在沉积所述纳米线之后，将所述膜加热到温2CCNN110