用于光伏电池的导体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102576580A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102576580A(43)申请公布日2012.07.11(21)申请号201080041917.6(22)申请日2010.09.08(30)优先权数据61/240,3832009.09.08US(85)PCT申请进入国家阶段日2012.03.15(86)PCT申请的申请数据PCT/US2010/0480872010.09.08(87)PCT申请的公布数据WO2011/031726EN2011.03.17(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人A·F·卡罗尔(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明(51)Int.Cl.H01B1/22(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书99页页附图附图11页(54)发明名称用于光伏电池的导体(57)摘要本发明涉及用于硅半导体装置和光伏电池的导电浆料，所述导电浆料包含一种或多种酸、或成酸组分。CN1025768ACN102576580A权利要求书1/1页1.厚膜组合物，包含：(a)一种或多种导电材料；(b)一种或多种玻璃料；(c)一种或多种酸、或成酸组分；和(d)有机载体。2.权利要求1的组合物，其中所述酸或成酸组分具有1至5的pKa值。3.权利要求1的组合物，其中所述酸为有机酸或无机酸。4.权利要求1的组合物，还包含ZnO。5.权利要求1的组合物，其中所述一种或多种玻璃料为所述组合物的0.4重量％至8重量％。6.权利要求1的组合物，其中所述一种或多种酸或成酸组分为所述组合物的0.1重量％至6重量％。7.权利要求1的组合物，其中所述一种或多种酸或成酸组分为所述组合物的0.2重量％至3重量％。8.权利要求4的组合物，其中所述有机酸选自：丙二酸、草酸、二元羧酸和变体化合物例如丙酮二酸，以及它们的混合物。9.权利要求8的组合物，其中所述有机酸选自：丙二酸、草酸、以及它们的混合物。10.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板；(b)将绝缘膜施加到所述半导体基板；(c)将权利要求1的厚膜组合物施加到所述绝缘膜；以及(d)焙烧所述装置。11.权利要求10的方法，其中在步骤(d)之前，所述方法还包括将第二厚膜组合物施加到所述半导体基板的步骤，其中所述第二厚膜组合物包含铝。12.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜选自氮化硅膜、氧化钛膜、SiNx:H膜、氧化硅膜和氧化硅/氧化钛膜。13.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜选自氮化硅膜和SiNx:H膜。14.由权利要求10的方法制造的半导体装置。15.半导体装置，包括：(a)电极，其中在焙烧之前，所述电极包含权利要求1的组合物；(b)绝缘膜；和(c)半导体基板。2CN102576580A说明书1/9页用于光伏电池的导体发明领域[0001]本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的包含玻璃料的导电厚膜组合物。[0002]发明背景[0003]具有p型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面(也称为光照面和受光面)的负极和可位于相对面的正极。在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向横跨该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流流动。大部分太阳能电池为已被金属化的硅片形式，即具有导电的金属触点。[0004]需要具有改善的电性能的组合物、结构(例如半导体、太阳能电池或光电二极管结构)和半导体装置(例如半导体、太阳能电池或光电二极管装置)，以及制备方法。[0005]发明概述[0006]本发明的一个实施方案涉及厚膜组合物，所述厚膜组合物包含：[0007]一种或多种导电材料；一种或多种玻璃料；一种或多种酸、或成酸组分；和有机载体。在该实施方案的一个方面，酸或成酸组分可具有1至5的pKa值。在一个方面，酸可为有机酸或无机酸。在另一个方面，所述组合物可包含ZnO。所述一种或多种玻璃料可为组合物的0.4重量％至8重量％。所述一种或多种酸或成酸组分可为组合物的0.1重量％至6重量％。所述一种或多种酸或成酸组分可为组合物的0.2重量％至3重量％。在一个实施方案中，有机酸可选自：丙二酸、草酸、二元羧酸和变体化合物例如丙酮二酸、以及它们的混合物。[0008]一个实施方案涉及制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体基板；将绝缘膜施加到半导体基板；将上述厚膜组合物施加到绝缘膜；以及焙烧该装置。在另一个实施方案中，所述方法可包括将第二厚膜组合物施加到半导体基板的步骤，其中第二厚膜组合物包含铝。在一个方面，绝缘膜可选自氮化硅膜、氧化钛膜、SiNx:H膜、氧化硅膜以及氧化