用于制备MWT硅太阳能电池的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102770963A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102770963A(43)申请公布日2012.11.07(21)申请号201180007794.9(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(22)申请日2011.02.08司31100代理人朱黎明(30)优先权数据61/302,2452010.02.08US(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H01L31/18(2006.01)2012.07.31(86)PCT申请的申请数据PCT/US2011/0239852011.02.08(87)PCT申请的公布数据WO2011/097606EN2011.08.11(71)申请人E·I·内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人K·W·杭G·劳迪辛奥A·G·普林斯R·J·S·杨权利要求书权利要求书22页页说明书说明书99页页(54)发明名称用于制备MWT硅太阳能电池的方法(57)摘要本发明提供了用于制备MWT硅太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供n型硅片，其具有：(i)在所述晶片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的p型发射器，(2)将导电性金属浆料施用到所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化，(3)干燥所述施用的导电性金属浆料，以及(4)焙烧所述干燥的导电性金属浆料，从而所述硅片达到了700-900℃的峰值温度，其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较弱烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，(b)至少一种粒状p型掺杂剂，和(c)有机载体。CN1027963ACN102770963A权利要求书1/2页1.用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：(1)提供n型硅片，其具有：(i)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的p型发射器，(2)将导电性金属浆料施用到所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化，(3)干燥所述施用的导电性金属浆料，以及(4)焙烧所述干燥的导电性金属浆料，从而所述晶片达到了700-900℃的峰值温度，其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较弱烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，(b)至少一种粒状p型掺杂剂，和(c)有机载体，其中所述至少一种粒状p型掺杂剂选自硼、铝和p型硅合金，所述p型硅合金选自包含硅和硼的合金、包含硅和铝的合金以及包含硅、硼和铝的合金。2.权利要求1的方法，其中所述n型硅片在其正面上具有ARC层，所述层略过所述空穴的内侧。3.权利要求1或2的方法，其中基于总导电性金属浆料组合物，所述有机载体含量为10-45重量%。4.权利要求1、2或3的方法，其中所述导电金属以50-92重量%的比例存在于所述导电性金属浆料中。5.任一项前述权利要求的方法，其中所述导电金属为银。6.任一项前述权利要求的方法，其中所述导电性金属浆料包含至少一种选自粒状铱、粒状铂和粒状钯的其它粒状金属，基于在所述导电性金属浆料中包含的粒状金属的总量，所述粒状铱、粒状铂和粒状钯的总比例为0.5-5重量%。7.任一项前述权利要求的方法，其中在所述导电性金属浆料中的至少一种p型掺杂剂的总含量为0.5-10重量%。8.任一项前述权利要求的方法，其中所述p型硅合金为共熔的铝/硅合金(AlSi12)。9.任一项前述权利要求的方法，其中所述导电性金属浆料包含至少一种玻璃料作为组分(d)，所述玻璃料选自：(i)无铅玻璃料，其具有在550-611℃范围内的软化点温度并且包含11-33重量%的SiO2、>0-7重量%的Al2O3和2-10重量%的B2O3，和(ii)含铅玻璃料，其具有在571-636℃范围内的软化点温度并且包含53-57重量%的PbO、25-29重量%的SiO2、2-6重量%的Al2O3和6-9重量%的B2O3。10.权利要求9的方法，其中所述无铅玻璃料中的一种或多种包含40-73重量%的Bi2O3。11.权利要求9或10的方法，其中在所述导电性金属浆料中，选自类型(i)和(ii)的玻璃料的总含量为0.25-8重量%。12.任一项前述权利要求的方法，其中施用所述导电性金属浆料作为导电性金属层或作为导电性金属塞。13.任一项前述权利要求的方法，其中所述导电性金属浆料通过印刷来施用。14.任一项前述权利要求的方法，其中焙烧作为共同焙烧与选自以下的至少一种金属浆料一起进行：(1)导电性金属浆料，其已被施用到所述正面以形成细的导电性金属收集器线形式的正面金属化，所述收集器线按通常用于MWT硅太阳能电池的图案来布置，以及(2)背面银浆，其已被施用到所述背面以形成银背