用于制备MWT硅太阳能电池的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103415931A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103415931103415931A(43)申请公布日2013.11.27(21)申请号201280012658.3(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.26H01L31/18(2006.01)H01L31/0224(2006.01)(30)优先权数据H01B1/16(2006.01)61/467,0772011.03.24US(85)PCT申请进入国家阶段日2013.09.10(86)PCT申请的申请数据PCT/US2012/0306222012.03.26(87)PCT申请的公布数据WO2012/129573EN2012.09.27(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人K·W·杭G·劳迪辛奥J·M·奥列克辛J·K·帕森斯R·S·沃特(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明权利要求书1页权利要求书1页说明书8页说明书8页(54)发明名称用于制备MWT硅太阳能电池的方法(57)摘要本发明公开了用于制备MWT硅太阳能电池的方法，其中施用、干燥并焙烧不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力的导电金属浆料以形成连续的金属化，所述连续的金属化包括顶部组的导电金属收集器线和n型MWT硅太阳能电池晶片的空穴的内侧的金属化，其中顶部组的导电金属收集器线叠加在n型MWT硅太阳能电池晶片的正面上的底部组的导电金属收集器线上，所述底部组的导电金属收集器线不与空穴的内侧接触。CN103415931ACN103459ACN103415931A权利要求书1/1页1.用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：(1)提供n型硅片，所述n型硅片具有(i)在晶片的正面和背面之间形成通路的空穴、(ii)在所述空穴的整个正面和内侧之上延伸的p型发射器、(iii)略过所述空穴的内侧的在所述正面上的ARC层、和(iv)呈底部组的细的导电金属收集器线形式的正面金属化，所述底部组的细的导电金属收集器线不与所述空穴的内侧接触，(2)将导电金属浆料施用到所述底部组的细的导电金属收集器线之上并施用到硅片的空穴以形成连续的金属化，所述连续的金属化包括顶部组的细的导电金属收集器线和所述空穴的内侧的金属化，(3)干燥所施用的导电金属浆料，以及(4)焙烧干燥的导电金属浆料，从而使所述晶片达到700至900℃的峰值温度，其中所述顶部组的细的导电金属收集器线叠加在所述底部组的细的导电金属收集器线上，其中所述导电金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差的烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，以及(b)有机载体。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述空穴围绕它们的被所述ARC层略过的前边缘具有窄边，并且其中所述底部组的细的导电金属收集器线不与所述边缘接触。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中基于总导电金属浆料组合物，所述有机载体含量为10至45重量%。4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中所述导电金属以50至92重量%的比例存在于所述导电金属浆料中。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电金属为银。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电金属浆料包含作为组分(c)的至少一种玻璃料，所述玻璃料选自：(i)无铅玻璃料，其具有550至611℃范围内的软化点温度并且包含11至33重量%的SiO2、>0至7重量%的Al2O3和2至10重量%的B2O3；以及(ii)含铅玻璃料，其具有571至636℃范围内的软化点温度并且包含53至57重量%的PbO、25至29重量%的SiO2、2至6重量%的Al2O3和6至9重量%的B2O3。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述无铅玻璃料中的一种或多种包含40至73重量%的Bi2O3。8.根据权利要求6或7所述的方法，其中在所述导电金属浆料中，选自类型(i)和类型(ii)的玻璃料的总含量为0.25至8重量%。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电金属浆料作为导电金属层或作为导电金属塞来施用。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述导电金属浆料通过印刷来施用。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中焙烧作为连同背面银浆一起的共焙烧来执行，所述背面银浆已被施用到所述背面以形成银背面收集器触点。12.由根据前述权利要求中任一项所述的方法制造的MWT硅太阳能电池。2CN103415931A说明书1/8页用于制备MWT硅太阳能电池的方法技术领域[0001]本发明涉及用于制备具有n型硅基板的MWT（金属穿孔卷绕）硅太阳能电池的方法。本发明还涉及相应的MWT硅太阳能电池。背景技术[0002]当前生产的大部分太