导电糊料组合物及由其制成的半导体器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103547542103547542A(43)申请公布日2014.01.29(21)申请号201280024221.1(51)Int.Cl.(22)申请日2012.03.23C03C8/10(2006.01)C04B35/01(2006.01)(30)优先权数据H01B1/22(2006.01)61/467,0032011.03.24USH01L31/0224(2006.01)61/522,3682011.08.11USH01B1/16(2006.01)61/549,3842011.10.20US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2013.11.19(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0304752012.03.23(87)PCT国际申请的公布数据WO2012/129554EN2012.09.27(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人K·W·杭K·R·米克斯卡R·G·瑞简德安C·托拉迪P·D·韦尔努伊Y·王(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人朱黎明权权利要求书2页利要求书2页说明书25页说明书25页附图1页附图1页(54)发明名称导电糊料组合物及由其制成的半导体器件(57)摘要导电糊料组合物包含导电金属源、基于铅-碲的氧化物、粘合增进元素的离散的氧化物、和有机载体。制品诸如高效光伏电池通过如下方法形成：将糊料组合物沉积在半导体基底上（例如，通过丝网印刷）以及焙烧糊料以除去有机载体并烧结该金属和基于铅-碲的氧化物。CN103547542ACN1035472ACN103547542A权利要求书1/2页1.糊料组合物，包含以下成分的混合物：(a)导电金属源；(b)基于铅-碲的氧化物；和(c)离散的添加剂，其为：（i）选自Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；（ii）在加热时能够形成此类氧化物的化合物；或（iii）其（i）和（ii）的混合物；和(d)有机载体。2.根据权利要求1所述的糊料组合物，包含以所述总糊料组合物计0.01至5重量%的所述离散的添加剂。3.根据权利要求2所述的糊料组合物，包含以所述总糊料组合物计0.01至2.5重量%的所述离散的添加剂。4.根据权利要求3所述的糊料组合物，包含以所述总糊料组合物计0.01至1重量%的所述离散的添加剂。5.根据权利要求4所述的糊料组合物，其中所述金属元素选自Ca、Al、Cr、Fe、Cu、Ti、Ni、或它们的混合。6.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述离散的添加剂为有机或无机化合物，所述化合物在加热时能够分解以形成所述粘合增进元素的氧化物。7.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述离散的添加剂为所述金属元素的氧化物。8.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述基于铅-碲的氧化物中铅的阳离子百分比与碲的阳离子百分比的比率的范围为5:95至95:5。9.根据权利要求8所述的糊料组合物，其中所述比率的范围为35:65至65:35。10.根据权利要求1所述的糊料组合物，包含0.5至10重量%的所述基于铅-碲的氧化物。11.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述基于铅-碲的氧化物包含70至95阳离子百分比的铅和碲。12.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述基于铅-碲的氧化物还包含选自以下元素的氧化物的至少一种氧化物：Li、B、Si、Na、K、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、Zr、Nb、Mo、Hf、Ag、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Se、Bi、P、Y、La和其它镧系元素、以及它们的混合。13.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中至多10阴离子百分比的所述氧阴离子被卤素阴离子置换。14.根据权利要求13所述的糊料组合物，其中所述氧阴离子中的一些被氟阴离子置换。15.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述导电金属源为导电金属粉末。16.根据权利要求1所述的糊料组合物，其中所述导电金属包括Ag。17.根据权利要求16所述的糊料组合物，其中所述Ag构成所述组合物中的75至99.5重量%的所述固体。18.用于在基底上形成导电结构的方法，所述方法包括：(a)提供具有第一主表面的基底；2CN103547542A权利要求书2/2页(b)将糊料组合物施用到所述第一主表面的预选部分上，其中所述糊料组合物包含以下成分的混合物：i)导电金属源；ii)基于铅-碲的氧化物；iii)离散的添加剂，其为：（A）选自Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、和Al、以及它们的混合的金属元素的氧化物；（B）在加热时能够形成此类氧化物的化合物；或（C）其（A）和