制造围阻层的方法和材料以及由其制成的装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103380507A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103380507103380507A(43)申请公布日2013.10.30(21)申请号201280007053.5(72)发明人朴卿镐N·S·拉杜K·D·多布斯(22)申请日2012.02.10A·费尼摩尔(30)优先权数据(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公61/441,3262011.02.10US司31100代理人朱黎明(85)PCT申请进入国家阶段日2013.07.30(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)(86)PCT申请的申请数据C07C211/54(2006.01)PCT/US2012/0247502012.02.10H01L51/56(2006.01)(87)PCT申请的公布数据WO2012/109609EN2012.08.16(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州权权利要求书4页利要求书4页说明书31页说明书31页附图2页附图2页(54)发明名称制造围阻层的方法和材料以及由其制成的装置(57)摘要本发明提供了用于在第一层上形成围堵的第二层的方法，包括以下步骤：形成具有第一表面能的第一层；用底涂材料处理第一层以形成底涂层；使底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域去除所述底涂层，获得具有显影底涂层的图案的第一层，其中所述显影底涂层的图案具有比所述第一表面能更高的第二表面能；以及通过在所述第一层上的显影底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二层。所述底涂材料具有至少一个式I的单元。在式I中：R1至R6为D、烷基、芳基、或甲硅烷基，其中相邻的R基可接合在一起以形成芳环；X为单键、H、D、或离去基团；Y为H、D、烷基、芳基、甲硅烷基、或乙烯基；a-f是0-4的整数；m、p和q是0或更大的整数。CN103380507ACN103857ACN103380507A权利要求书1/4页1.在第一层上形成围阻的第二层的方法，所述方法包括：形成具有第一表面能的所述第一层；用底涂材料处理所述第一层以形成底涂层；使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域去除所述底涂层，获得具有显影底涂层的图案的第一层，其中所述显影底涂层的图案具有比所述第一表面能更高的第二表面能；以及通过在所述第一层上的显影底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二层；其中所述底涂材料具有至少一个式I的单元其中：R1至R6在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、芳基、和甲硅烷基，其中相邻的R基能够接合在一起以形成稠合的芳环；X在每次出现时相同或不同并且选自单键、H、D、和离去基团；Y选自H、D、烷基、芳基、甲硅烷基、和乙烯基；a-f相同或不同并且是0-4的整数；并且m、p和q相同或不同并且是0或更大的整数。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述底涂材料是氘代的。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述底涂材料基本上由式I组成，并且X选自H、D、和Br。4.根据权利要求1所述的方法，其中m、p和q是1-5的整数。165.根据权利要求1所述的方法，其中R-R选自D、C1-10烷基、苯基、和氘代苯基。6.根据权利要求1所述的方法，其中Y是C1-10烷基。7.根据权利要求1所述的方法，其中Y是C5-10烷基。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述底涂材料是均聚物。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述底涂材料是具有第一单体单元和至少一个第二单体单元的共聚物，所述第一单体单元具有式I，所述第二单体单元选自亚苯基、亚萘基、三芳基胺、芴、N-杂环、二苯并呋喃、二苯并吡喃、二苯并噻吩、以及它们的氘代类似物。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述底涂材料具有至少一个式II的单元2CN103380507A权利要求书2/4页其中：R1至R6在每次出现时相同或不同并且选自D、烷基、芳基、和甲硅烷基，其中相邻的R基能够接合在一起以形成稠合的芳环；X在每次出现时相同或不同并且选自单键、H、D、和离去基团；Y选自H、D、烷基、芳基、甲硅烷基、和乙烯基；a-f相同或不同并且是0-4的整数；并且m、p和q相同或不同并且是0或更大的整数。11.制备包含电极的有机电子装置的方法，所述电极具有定位在其上的第一有机活性层和第二有机活性层，所述方法包括：在所述电极上形成具有第一表面能的所述第一有机活性层；用底涂材料处理所述第一有机活性层以形成底涂层；使所述底涂层以图案形式暴露于辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域去除所述底涂层，获得具有显影底涂层的图案的第一活性有机层，其中所述显影底涂层的图案具有比