制造内含层的方法和材料以及由其制成的器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104011895104011895A(43)申请公布日2014.08.27(21)申请号201280062189.6代理人江磊(22)申请日2012.12.20(51)Int.Cl.(30)优先权数据H01L51/56(2006.01)61/577,8272011.12.20USH01L51/52(2006.01)H01L51/54(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2012/0707882012.12.20(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/096543EN2013.06.27(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人A·费尼莫尔S·R·麦凯拉(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100权权利要求书4页利要求书4页说明书31页说明书31页附图1页附图1页(54)发明名称制造内含层的方法和材料以及由其制成的器件(57)摘要本发明提供了用于在第一层之上形成内含的第二层的方法，所述方法包括以下步骤：形成包含氟化材料并具有第一表面能的第一层；用底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于具有大于300nm波长的辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有图案化底涂层的第一层，其中所述图案化底涂层具有比所述第一表面能高的第二表面能；以及通过在所述第一层上的图案化底涂层上的液相沉积来形成所述第二层。所述底涂层包含芳族胺化合物和光引发剂。CN104011895ACN104895ACN104011895A权利要求书1/4页1.一种用于在第一层之上形成内含的第二层的方法，所述方法包括：形成包含氟化材料并具有第一表面能的所述第一层；用基本上由芳族胺化合物和光引发剂组成的底涂层处理所述第一层；使所述底涂层以图案形式暴露于具有大于300nm波长的辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有图案化底涂层的第一层，其中所述图案化底涂层具有比所述第一表面能高的第二表面能；以及通过在所述第一层上的图案化底涂层上的液相沉积来形成所述第二层。2.根据权利要求1所述的方法，其中穿过所述第一层来实施暴露。3.根据权利要求1所述的方法，其中通过用液体处理来实施显影。4.根据权利要求1所述的方法，其中通过蒸发来实施显影。5.根据权利要求1所述的方法，其中通过使所述未暴露区域的最外表面与吸收剂表面接触来实施显影。6.根据权利要求1所述的方法，其中通过使所述未暴露区域的最外表面与粘合剂表面接触来实施显影。7.一种用于制备包含载体的有机电子器件的方法，所述载体在其上具有电极、第一有机活性层和第二有机活性层，所述方法包括：在所述电极之上形成包含氟化材料并具有第一表面能的所述第一有机活性层；用基本上由芳族胺化合物和光引发剂组成的底涂层处理所述第一有机活性层；使所述底涂层以图案形式暴露于具有大于300nm波长的辐射下，获得暴露区域和未暴露区域；使所述底涂层显影以有效地从所述未暴露区域移除所述底涂层，获得具有图案化底涂层的第一层，其中所述图案化底涂层具有比所述第一表面能高的第二表面能；以及通过在所述第一有机活性层上的底涂层的图案上液相沉积来形成所述第二有机活性层。8.根据权利要求7所述的方法，其中穿过所述载体来实施暴露。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一活性层为空穴注入层，并且所述第二活性层选自空穴传输层和光敏层。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述空穴注入层包含导电聚合物和氟化酸聚合物。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述空穴注入层基本上由掺入有氟化酸聚合物和无机纳米颗粒的导电聚合物组成。12.根据权利要求7所述的方法，其中所述芳族胺化合物具有式(1)至(9)之一：2CN104011895A权利要求书2/4页3CN104011895A权利要求书3/4页其中：Ar在每次出现时相同或不同并且为芳基；L为连接基团；M在每次出现时相同或不同并且为芳族基团；4CN104011895A权利要求书4/4页a和b表示相应的摩尔分数，使得a+b＝1；并且n为大于0的整数。13.根据权利要求7所述的方法，其中所述芳族胺化合物为选自以下的材料：聚三芳基胺、聚咔唑、具有以非平面构型连接的共轭部分的聚三芳基胺、芴和三芳基胺的共聚物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。14.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二活性层为空穴传输层，并且还包括通过在所述空穴传输层上的液相沉积来形成光敏层。15.根据权利要求1或7所述的方法，其中所述芳族胺化合物没有可聚合或可