正型光阻剥除剂.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104423182A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.03.18(21)申请号201310382926.7(22)申请日2013.08.29(71)申请人杜邦公司地址美国特拉华(72)发明人李豪浚吕勇军(74)专利代理机构北京永新同创知识产权代理有限公司11376代理人程大军栾星明(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书13页附图2页(54)发明名称正型光阻剥除剂(57)摘要本发明公开了一种光阻剥除剂，其包含：(a)18重量%-80重量%的二乙烯三胺；(b)18重量%-80重量%的烷基酰胺，其选自N,N-二乙基乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺和其混合物；和(c)0重量%-2重量%的含氟表面活性剂，其中所述重量百分比基于该光阻剥除剂的总重量。此外，本发明还公开了使用本发明的光阻剥除剂去除光阻的方法。CN104423182ACN104423182A权利要求书1/1页1.一种光阻剥除剂，其包含：(a)18重量%-80重量%的二乙烯三胺；(b)18重量%-80重量%的烷基酰胺，其选自N,N-二乙基乙酰胺、N,N-二甲基丙酰胺和其混合物；和(c)0重量%-2重量%的含氟表面活性剂；其中，所述光阻剥除剂包含少于5重量%的水和少于5重量%的多元醇，以及所述重量百分比基于所述光阻剥除剂的总重量。2.如权利要求1所述的光阻剥除剂，其中所述含氟表面活性剂是式1的化合物或其混合物：Rf(OCH2CH2)nOH1其中，Rf是部分氟化或全氟化的脂族基，所述脂族基具有小于或等于6的总碳数并且选自烷基、烯基、环烷基和环烯基；和n是从1至25的整数。3.如权利要求1所述的光阻剥除剂，其中所述多元醇选自乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇、1,3-丙二醇、二甲基-1,3-丙二醇、丁二醇、戊二醇、己二醇和丙三醇。4.一种从电子组件的表面去除光阻的方法，该方法包括以下步骤：i.提供表面具有待剥除光阻的电子组件；ii.在40℃-80℃的温度，用权利要求1所述的光阻剥除剂接触该电子组件10秒-15分钟以露出所述电子组件的线路；iii.用水洗涤所述电子组件5秒-5分钟；和iv.用惰性气体或高温干燥所述电子组件。5.如权利要求4所述的方法，其中所述接触是喷洒所述光阻剥除剂或浸泡在所述光阻剥除剂中。6.如权利要求4所述的方法，其中所述光阻为有机聚合材料，其选自酚醛树脂、聚(对-乙烯苯酚)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基戊二酰亚胺、及它们的衍生物和共聚物。7.如权利要求4所述的方法，其中所述线路由一种或多种选自铝、铝合金、铬、氮化硅和铟锡氧化物的材料所组成。8.如权利要求4所述的方法，其中所述电子组件是透明绝缘基板、栅电极、栅极绝缘层、半导体层、源电极、漏电极、滤色器、绝缘膜、低温多晶硅基板、或触控面板数组式电极。9.如权利要求1所述的光阻剥除剂的用途，其用于从电子组件的表面去除光阻以露出所述电子组件的线路。2CN104423182A说明书1/13页正型光阻剥除剂技术领域[0001]本发明涉及一种含有烷基三胺、烷基酰胺和任选的少量含氟表面活性剂的光阻剥除剂(photoresiststripper)，特别涉及去除用于半导体、液晶显示器、触控感应屏幕和电子书中的正型光阻。背景技术[0002]科技产业不断发展进步，而其中薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的技术更是不断地演进，又由于薄膜晶体管液晶显示器具有体积小不占空间、耗电量少、辐射量低、产品耐用等优势，因此已逐渐取代以阴极射线管(CRT)所制作的显示器。而且随着对显示器的需求不断增加，薄膜晶体管液晶显示器的产量更是逐渐提升，并且跟随着技术世代的演进，五代、六代、七代、八代、甚至十代厂房也不断地被建造起来，在薄膜晶体管液晶显示器中所投入的金额也越来越大，因此可以预见未来的技术进步与经济规模是非常惊人的。[0003]光阻，也称为光阻剂、光刻胶或光致抗蚀剂，是一种用在许多工业制备过程上的光敏材料。例如，光刻技术（也称为“光学光刻技术”或“防紫外线光刻技术”）是指，在光掩膜上先刻画几何图形结构，然后利用曝光和显影将光掩膜上的几何图形转移到覆盖基板的一层光阻上。这层光阻在曝光（一般是紫外线）后可以被特定溶液（显影液）溶解。使特定波长的光穿过光掩膜照射在光阻上，可以对光阻进行选择性照射（曝光）。然后使用前面提到的显影液，溶解掉被照射的光阻区域，这样，光掩膜上的图形就呈现在光阻上。上述步骤完成后，就可以对基板进行选择性的刻蚀或离子注入过程，未被溶解的光阻将保护基板在这些过程中不被改变。刻蚀或离子注入完成后，将进行光刻的最后一步，即将光阻去除，以便进行电子组件制备过程的