片式电阻器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107785138A(43)申请公布日2018.03.09(21)申请号201710749875.5H01C17/30(2006.01)(22)申请日2017.08.28H01C1/142(2006.01)H01C7/00(2006.01)(30)优先权数据H01B1/16(2006.01)15/248,4312016.08.26USH01B1/22(2006.01)(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人橘勇介(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人江磊朱黎明(51)Int.Cl.H01C17/00(2006.01)H01C17/065(2006.01)H01C17/242(2006.01)H01C17/28(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称片式电阻器(57)摘要本发明涉及一种片式电阻器。一种制造片式电阻器的方法，包括以下步骤：制备用竖直狭缝和水平狭缝方形地分割的绝缘基板，在该绝缘基板上施用与这些水平狭缝交叉的导电糊料，在该绝缘基板上施用电阻器糊料，形成修整槽以调节这些电阻器层的电阻率；并且分裂该绝缘基板以形成片式电阻器，其中该导电糊料包括(i)包含附聚金属粉末的导电粉末，其中该附聚金属粉末的粒径(D50)为3-12μm，并且该附聚金属粉末的比表面积(SA)为3.1-8.0m2/g，(ii)玻璃料和(iii)有机载体。CN107785138ACN107785138A权利要求书1/1页1.一种用于制造片式电阻器的方法，包括以下步骤：制备用竖直狭缝和水平狭缝方形地分割的绝缘基板；在该绝缘基板上以与这些水平狭缝交叉的方形图案施用导电糊料；烧制该导电糊料以形成前电极；在该绝缘基板上施用电阻器糊料以桥接这些前电极；烧制该电阻器糊料形成电阻器层；在这些电阻器层上形成修整槽以调节这些电阻器层的电阻率；并且在这些竖直狭缝和水平狭缝处分裂该绝缘基板以形成片式电阻器；其中该导电糊料包括(i)包含附聚金属粉末的导电粉末，其中该附聚金属粉末的粒径(D50)为3-12μm，并且该附聚金属粉末的比表面积(SA)为3.1-8.0m2/g，(ii)玻璃料和(iii)有机载体。2.如权利要求1所述的方法，其中该绝缘基板是陶瓷基板，并且厚度为0.1-2mm。3.如权利要求1所述的方法，其中在烧制该导电糊料的步骤中，该烧制峰值温度为700-950℃，在烧制该电阻器糊料的步骤中，该烧制峰值温度为700-950℃。4.如权利要求1所述的方法，其中这些修整槽通过激光形成，该附聚金属粉末的振实密度为0.5-2.5g/cm3。5.如权利要求1所述的方法，其中该附聚金属粉末的金属可以选自下组，该组由以下各项组成：金、银、铂、钯、其合金及其混合物。6.如权利要求1所述的方法，其中该导电粉末进一步包含附加金属粉末，其中该附加金属粉末的粒径(D50)为0.8-3μm，并且该附加金属粉末的比表面积(SA)为1.5-5.0m2/g，该导电粉末为40-80重量百分比(wt.％)，该玻璃料为3-14wt％，并且该有机载体为10-69wt.％，其中该wt.％是基于该导电糊料的重量。7.一种导电糊料，包含(i)包含附聚金属粉末的导电粉末，其中该附聚金属粉末的粒径(D50)为3-12μm，并且该附聚金属粉末的比表面积(SA)为3.1-8.0m2/g，(ii)玻璃料和(iii)有机载体。8.如权利要求7所述的导电糊料，其中该附聚金属粉末的振实密度为0.5-2.5g/cm3。9.如权利要求7所述的导电糊料，其中该附聚金属粉末的金属可以选自下组，该组由以下各项组成：金、银、铂、钯、其合金及其混合物。10.如权利要求7所述的导电糊料，其中该导电粉末进一步包含附加金属粉末，其中该附加金属粉末的粒径(D50)为0.8-3μm，并且该附加金属粉末的比表面积(SA)为1.5-5.0m2/g；该导电粉末为40-80重量百分比(wt.％)，该玻璃料为3-14wt.％，并且该有机载体为10-69wt.％，其中该wt.％是基于该导电糊料的重量。2CN107785138A说明书1/6页片式电阻器技术领域[0001]本发明涉及一种片式电阻器，特别涉及形成片式电阻器前电极的导电糊料。背景技术[0002]片式电阻器通过用被狭缝方形地分割的大尺寸基板来制造。通过在狭缝处分裂基板，将基板分成方形片式电阻器。更具体地说，将导电糊料与狭缝交叉施用在大尺寸基板上，以形成前电极，然后形成电阻器层。片式电阻器的电阻率通过例如在分裂基板之前的激光修整来调节。当前电极彼此电连接时，干扰精确的电阻率调整。当施用在基板上时，导电糊料需要较少地沿着狭缝铺展开，以形成彼此独立的前电极。[0003