片式电阻器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108470614A(43)申请公布日2018.08.31(21)申请号201810154039.7(22)申请日2018.02.22(30)优先权数据15/440,0402017.02.23US(71)申请人E.I.内穆尔杜邦公司地址美国特拉华州(72)发明人村上守橘勇介(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人江磊朱黎明(51)Int.Cl.H01C17/28(2006.01)H01C17/30(2006.01)H01C1/142(2006.01)H01C7/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图1页(54)发明名称片式电阻器(57)摘要本发明涉及一种片式电阻器。公开了一种制造片式电阻器的方法，该方法包括以下步骤：(a)在绝缘基板上施用导电糊料，其中该导电糊料包含，(i)40-80重量百分比(wt.％)的导电粉末；(ii)1-14wt.％的玻璃料，(iii)0.01-3wt.％的氧化镁(MgO)，以及(iv)10-55wt.％的有机载体，其中wt.％是基于该导电糊料的重量；(b)烧制该施用的导电糊料以形成前电极。CN108470614ACN108470614A权利要求书1/1页1.一种制造片式电阻器的方法，该方法包括以下步骤：(a)在绝缘基板上施用导电糊料，其中该导电糊料包含，(i)40-80重量百分比(wt.％)的导电粉末；(ii)1-14wt.％的玻璃料，(iii)0.01-3wt.％的氧化镁(MgO)，以及(iv)10-55wt.％的有机载体，其中wt.％是基于该导电糊料的重量；(b)烧制该施用的导电糊料以形成前电极。2.如权利要求1所述的方法，其中该绝缘基板是陶瓷基板。3.如权利要求1所述的方法，其中该导电粉末的粒径(D50)是0.5-12μm。4.如权利要求1所述的方法，其中该导电粉末选自由以下组成的组：铝、镍、铜、银、金、钼、镁、钨、钴、锌、铂、钯、其合金以及其混合物。5.如权利要求1所述的方法，其中该玻璃料是包含金属氧化物的无铅玻璃料，所述金属氧化物选自由以下组成的组：氧化铋(Bi2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)以及其混合物。6.如权利要求1所述的方法，其中该MgO呈粉末形状，具有0.1-8μm的粒径(D50)。7.如权利要求1所述的方法，其中该导电糊料进一步包含钙长石(CaAl2Si2O8)。8.如权利要求1所述的方法，其中步骤(b)中的烧制温度是700-950℃。9.如权利要求1所述的方法，其中该方法进一步包括步骤(c)将电阻器糊料施用在该绝缘基板上以桥接一对前电极；并且(d)烧制该施用的电阻器糊料以形成电阻器厚膜。10.一种形成片式电阻器的前电极的导电糊料，该导电糊料包含：(i)40-80重量百分比(wt.％)的导电粉末；(ii)1-14wt.％的玻璃料，(iii)0.01-3wt.％的氧化镁(MgO)，以及(iv)10-55wt.％的有机载体，其中wt.％是基于该导电糊料的重量。11.如权利要求10所述的导电糊料，其中该导电粉末的粒径(D50)是0.5-12μm。12.如权利要求10所述的导电糊料，其中该玻璃料是包含金属氧化物的无铅玻璃料，所述金属氧化物选自由以下组成的组：氧化铋(Bi2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)以及其混合物。13.如权利要求10所述的导电糊料，其中该MgO呈粉末的形状，具有0.1-8μm的粒径(D50)。14.如权利要求10所述的导电糊料，其中该导电糊料进一步包含钙长石(CaAl2Si2O8)。15.一种片式电阻器，其包含绝缘基板、在该绝缘基板上形成的一对前电极、以及在该绝缘基板上形成的用以桥接一对前电极的电阻器厚膜，其中这些前电极包含导电金属、玻璃和氧化镁(MgO)。2CN108470614A说明书1/7页片式电阻器技术领域[0001]本发明涉及一种片式电阻器，特别涉及形成片式电阻器前电极的导电糊料。背景技术[0002]片式电阻器的前电极需要抵抗来源于制造工艺中使用的焊料或电镀的酸。[0003]JP5426241公开了一种片式电阻器。片式电阻器的前电极通过印刷含有金属粉末、无铅玻璃料和树脂粘合剂的导电糊料而形成，其中该金属粉末选自由以下组成的组：金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)和它们的合金，并且该玻璃料包含含有60wt.％或更多的SiO2的第一玻璃料和含有5wt.％或更多的TiO2的第二玻璃料，第一玻璃料和第二玻璃料的重量比为1:3至5:1。发明内容[0004]本发明目的是提供用于制造具有耐酸性的片式电阻器的方法。[0005]一个方面涉及一种制造