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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110518053A(43)申请公布日2019.11.29(21)申请号201910820689.5(22)申请日2019.08.29(71)申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230012安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人王欣竹李菲李慧慧吴新风胡友元(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人张京波曲鹏(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称显示基板及其制备方法、显示装置(57)摘要本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括设置在驱动电路层上的像素定义层和用于出射光线的发光层,所述像素定义层与发光层之间设置有用于阻止水氧气体进入发光层的隔离层。本发明通过在像素定义层上设置隔离层,使发光层与像素定义层相互隔离,杜绝或减轻了像素定义层析出的水氧等气体进入发光层,消除了水氧气体对发光层的破坏,避免了像素内缩现象的发生,不仅可以大幅度提高信赖性测试良率,而且可以大幅度提高OLED的可靠性和寿命。CN110518053ACN110518053A权利要求书1/2页1.一种显示基板,其特征在于,包括设置在驱动电路层上的像素定义层和用于出射光线的发光层,所述像素定义层与发光层之间设置有用于阻止水氧气体进入发光层的隔离层。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述驱动电路层包括第一电极;所述像素定义层设置在所述驱动电路层上,其上设置有暴露出所述第一电极的第一开口;所述隔离层设置在像素定义层上,其上设置有与所述第一开口相对应的第二开口,所述第二开口仅暴露出所述第一电极;所述发光层设置在隔离层上,与第二开口暴露出的第一电极连接。3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二开口在驱动电路层上的正投影位于所述第一开口在驱动电路层上的正投影范围内。4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,第二开口的等效直径=(0.85~0.95)*第一开口的等效直径。5.根据权利要求1~4任一所述的显示基板,其特征在于,所述隔离层的材料包括硅氧化物或硅氮化物。6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~5任一所述的显示基板。7.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:在驱动电路层上形成像素定义层;在所述像素定义层上形成用于阻止水氧气体进入发光层的隔离层;在所述隔离层上形成用于出射光线的发光层。8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在驱动电路层上形成像素定义层,包括:在基底上形成包括第一电极的驱动电路层;在所述驱动电路层上形成像素定义层,所述像素定义层上形成有与发光区域相对应的第一开口,所述第一开口暴露出所述第一电极。9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述像素定义层上形成用于阻止水氧气体进入发光层的隔离层,包括:沉积一层隔离薄膜;通过构图工艺对所述隔离薄膜进行构图,形成隔离层,所述隔离层上形成有与第一开口相对应的第二开口,所述第二开口内暴露出所述第一电极。10.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在驱动电路层上形成像素定义层,包括:在基底上形成包括第一电极的驱动电路层;在所述驱动电路层上形成像素定义层和像素保护层,所述像素定义层上形成有与发光区域相对应的第一开口,所述像素保护层形成在所述第一开口内,所述像素定义层与像素保护层之间的区域暴露出所述第一电极。11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法,其特征在于,在所述像素定义层上形成用于阻止水氧气体进入发光层的隔离层,包括:沉积一层隔离薄膜;通过构图工艺对所述隔离薄膜进行构图,将所述像素保护层顶部的隔离薄膜刻蚀掉,2CN110518053A权利要求书2/2页暴露出像素保护层;通过剥离工艺去除所述像素保护层,以及所述像素保护层上的隔离薄膜,形成隔离层图案,所述隔离层上形成有与第一开口相对应的第二开口,所述第二开口仅暴露出所述第一电极。12.根据权利要求9或11所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述第二开口在驱动电路层上的正投影位于所述第一开口在驱动电路层上的正投影范围内。13.根据权利要求9或11所述的显示基板的制备方法,其特征在于,第二开口的等效直径=(0.85~0.95)*第一开口的等效直径。14.根据权利要求7~11任一所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述隔离层的材料包括硅氧化物或硅氮化物。3CN110518053A说明书1/9页显示基板及其制备方法、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。背景技术[0002]有机发光二极管显示装置(Organic