一种IGBT模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110931471A(43)申请公布日2020.03.27(21)申请号201910908441.4(22)申请日2020.02.10(71)申请人广州华工科技开发有限公司地址510000广东省广州市天河区石牌华南理工大学内(72)发明人车兰秀徐之文薛英杰邱瑞鑫(74)专利代理机构佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙)44339代理人李俊(51)Int.Cl.H01L25/07(2006.01)H02H3/20(2006.01)H02H7/20(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种IGBT模块(57)摘要本发明提供了一种IGBT模块，属于功率半导体模块技术领域，包括外壳与底板以及集电路板，集电路板的上端安装有至少两个检测器；两个检测器为第一检测器与第二检测器，第一检测器与第二检测器并联后与集电路板串联，用于检测不同区域的电压是否过高；第一检测器串联有V2电压表，并联有R2电阻；第一检测器检测到对应区域的电压过高侧R2电阻对应的S2闭合，形成第一检测器短路；第二检测器串联有V1电压表，并联有R1电阻；第二检测器检测到对应区域的电压过高侧R1电阻对应的S1闭合，形成第一检测器短路。通过检测器可以检测IGBT模块内部电压是否过高，而有效的防止电压过高烧毁IGBT模块内部元件，杜绝内部元件与电路起火，造成经济损失。CN110931471ACN110931471A权利要求书1/1页1.一种IGBT模块，包括外壳(1)与底板(2)以及集电路板(7)，其特征在于：所述集电路板(7)的上端安装有至少两个检测器；两个所述检测器为第一检测器(8)与第二检测器(9)，所述第一检测器(8)与第二检测器(9)并联后与集电路板(7)串联，用于检测不同区域的电压是否过高；所述第一检测器(8)串联有V2电压表，并联有R2电阻；第一检测器(8)检测到对应区域的电压过高侧R2电阻对应的S2闭合，形成第一检测器(8)短路；所述第二检测器(9)串联有V1电压表，并联有R1电阻；所述第二检测器(9)检测到对应区域的电压过高侧R1电阻对应的S1闭合，形成第一检测器(8)短路。2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述第一检测器(8)与所第二检测器(9)均包括有输出端与输入端；输入端用于接收集电路板(7)流过的电压，并输送至检测器中；输出端用于输出检测电压的数据值。3.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述底板(2)的上端面设置有DCB板(3)，所述DCB板(3)的上端面设置有热脂(4)。4.根据权利要求2所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述DCB板(3)与热脂(4)之间填充有绝缘层；所述绝缘层为耐热绝缘层。5.根据权利要求2所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述DCB板(3)的上端面贯穿于热脂设置有多个焊料(5)，多个所述焊料(5)均匀设置。6.根据权利要求5所述的一种IGBT模块，其特征在于：多个所述焊料(5)的上端固定设置有IGBT芯片(51)，所述IGBT芯片(51)至少有一个；所述IGBT芯片(51)通过所述焊料(5)与DCB板(3)连接。7.根据权利要求6所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述集电路板(7)的下端面连接有栅电极板(6)，所述栅电极板(6)与所述IGBT芯片(51)连接。8.根据权利要求7所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述栅电极板(6)的上端面设置有与多个所述IGBT芯片(51)相对应的正电极及多个与所述正电极对应的负电极。9.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述外壳(1)的外部包裹有防水层(101)；所述防水层(101)为纳米防水涂料镀膜。10.根据权利要求1所述的一种IGBT模块，其特征在于：所述外壳(1)与所述底板(2)一体成型。2CN110931471A说明书1/6页一种IGBT模块技术领域[0001]本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种IGBT模块。背景技术[0002]IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)是80年代中期问世的一种复合型电力电子器件，从结构上说，相当于一个由MOSFET(Metal0xideSemiconductorFieldEffectTransistor,金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(BipolarJunctionTransistor,双极结型晶体管)，IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好.驱动电路简单的特性,也具备BJT的电流密度高、通态压降低,耐压高的特性,被广泛应用于电力电子设备中。[0003]IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯