一种全新IGBT模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109979896A(43)申请公布日2019.07.05(21)申请号201910172959.6(22)申请日2019.03.07(71)申请人浙江叶尼塞电气有限公司地址325600浙江省温州市乐清市城南街道前山村(72)发明人卢博朗(74)专利代理机构重庆创新专利商标代理有限公司50125代理人邢明顺(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)H01L23/467(2006.01)H01L25/10(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种全新IGBT模块(57)摘要本发明公开了一种全新IGBT模块，包括底板、芯片和散热器，所述底板的顶端设置有外壳体，且外壳体内部的底板的两侧均安装有缓冲腔，所述缓冲腔的内部通过减震弹簧设置有活动板，且活动板的顶端安装有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定有DCB陶瓷基板，且DCB陶瓷基板顶端的两侧均通过锡焊安装有芯片，所述DCB陶瓷基板顶端的中间设置有温度传感器，所述外壳体顶端的两侧均设置有绝缘套管，且绝缘套管的内部均设置有电极，所述电极的输出端延伸至绝缘套管的外部，所述芯片的顶端均设置有引线与电极固定连接，所述底板的底端安装有散热器。本发明便于散热和维护检修，且具有减震的优点，避免外界的震荡对模块内部的芯片造成损伤。CN109979896ACN109979896A权利要求书1/1页1.一种全新IGBT模块，包括底板(1)、芯片(4)和散热器(13)，其特征在于：所述底板(1)的顶端设置有外壳体(3)，且外壳体(3)内部的底板(1)的两侧均通过焊接安装有缓冲腔(15)，所述缓冲腔(15)内部的底端设置有减震弹簧(18)，且减震弹簧(18)的顶端设置有活动板(19)与缓冲腔(15)的内侧壁活动连接，所述活动板(19)的顶端通过焊接安装有支撑杆(20)，且支撑杆(20)延伸至缓冲腔(15)的外部，所述支撑杆(20)的顶端固定有DCB陶瓷基板(7)，且DCB陶瓷基板(7)顶端的两侧均通过锡焊安装有芯片(4)，所述DCB陶瓷基板(7)顶端的中间设置有温度传感器(8)，所述外壳体(3)顶端的两侧均设置有绝缘套管(10)，且绝缘套管(10)的内部均设置有电极(5)，所述电极(5)的输出端延伸至绝缘套管(10)的外部，所述芯片(4)的顶端均设置有引线(6)与电极(5)固定连接，所述底板(1)的底端安装有散热器(13)，且散热器(13)内部底端的中间设置有风扇(16)。2.根据权利要求1所述的一种全新IGBT模块，其特征在于：所述底板(1)的顶端设置有环形凹槽(11)，且外壳体(3)底端的边缘处设置有环形裙边(2)插入环形凹槽(11)内部，且环形裙边(2)与底板(1)通过螺栓固定连接。3.根据权利要求1所述的一种全新IGBT模块，其特征在于：所述外壳体(3)的内侧壁上设置有聚酰亚胺绝膜缘，且聚酰亚胺绝缘膜与外壳体(3)构成绝缘结构。4.根据权利要求1所述的一种全新IGBT模块，其特征在于：所述DCB陶瓷基板(7)的底端通过焊接安装有散热翅片(9)，且散热翅片(9)与DCB陶瓷基板(7)构成散热结构。5.根据权利要求1所述的一种全新IGBT模块，其特征在于：所述散热器(13)的两端均设置有通风口(14)，且通风口(14)上均设置有筛网，通风口(14)与散热器(13)的壳体构成通风结构。6.根据权利要求1所述的一种全新IGBT模块，其特征在于：所述散热器(13)两端的底部均设置有安装件(12)，且安装件(12)上均匀设置有安装孔(17)。2CN109979896A说明书1/3页一种全新IGBT模块技术领域[0001]本发明涉及功率半导体模块技术领域，具体为一种全新IGBT模块。背景技术[0002]随着电子技术的发展，功率模块被广泛的应用于各种电子产品中，尤其是IGBT模块，其广泛的应用于带有开关电源的控制器以及电动汽车控制器等各个领域，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)是80年代中期问世的一种复合型电力电子器件,从结构上说，相当于一个由MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(BipolarJunctionTransistor，双极结型晶体管),IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好、驱动电路简单的特性，也具备BJT的电流密度高、通态压降低，耐压高的特性，被广泛应用于电力电子设备中；[0003]现有的IGBT模块散热不好，而高温会使芯片的性能下降，长期如此甚至会导致芯片失效，在安装或者运输时，外界的震荡会