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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111244890A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号202010112712.8(22)申请日2020.02.24(71)申请人成都世纪天知科技有限公司地址610041四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府三街69号1栋18层1816号(72)发明人肖建辉(74)专利代理机构成都虹盛汇泉专利代理有限公司51268代理人刘冬静(51)Int.Cl.H02H3/26(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种芯片之间通信的防漏电电路(57)摘要本发明公开一种芯片之间通信的防漏电电路,应用于集成电路领域,针对在多芯片通信系统中,存在的输出不匹配导致的漏电现象;本发明提出了一种防漏电电路拓扑结构,可以隔断供电芯片和不供电芯片之间的电流回路,从而杜绝了漏电现象的产生。CN111244890ACN111244890A权利要求书1/1页1.一种防漏电电路拓扑结构,包括:供电电源、LDO/DC-DC、非常供电电源域芯片、常供电电源域芯片、SLAVE芯片以及长供电的电源VDDS,SLAVE芯片输出WAKE信号至常供电电源域芯片,当WAKE有效时,常供电电源域芯片输出PD信号给LDO/DC-DC,LDO/DC-DC提供电压VDDM给非常供电电源域芯片,则MASTER芯片与常供电电源域芯片、非常供电电源域芯片与SLAVE芯片之间开始通信;通信结束后WAKE失效;其特征在于,还包括:防漏电电路,所述防漏电电路置于MCU0芯片和非常供电电源域芯片的TX0输出通路之间。2.根据权利要求1所述的一种防漏电电路拓扑结构,其特征在于,所述防漏电电路置于PCB板上。3.根据权利要求1所述的一种防漏电电路拓扑结构,其特征在于,所述防漏电电路置于SLAVE芯片里面。4.一种基于权利要求1-3任一权利要求所述的防漏电电路拓扑结构的防漏电电路,其特征在于,包括:常供电电源域芯片电路、常供电电源域芯片接口电路以及非常供电电源域芯片电路;常供电电源域芯片电路的输出作为常供电电源域芯片接口电路的输入,常供电电源域芯片接口电路的输出作为非常供电电源域芯片电路的输入;所述常供电电源域芯片接口电路包括:PMOS、NMOS、与门、PESDMOS、NESDMOS、第一反向器、第二反相器,所述第一反向器与第二反相器串联,电压VDD0作为第一反向器的输入,第一反向器的输出接第二反相器的输入;第一反向器的输出还接PMOS的栅极,PMOS的漏极通过电阻R0与常供电电源域芯片接口电路的输入端相连,PMOS的源极接PESDMOS的栅极,PESDMOS的栅极和源极短接,PESDMOS的漏极接常供电电源域芯片接口电路输出端;第二反相器的输出接NMOS的栅极,NMOS的漏极通过电阻R1与常供电电源域芯片接口电路的输入端相连,NMOS的源极接NESDMOS的栅极,NESDMOS的栅极和源极短接,NESDMOS的漏极接常供电电源域芯片接口电路输出端;所述常供电电源域芯片接口电路的输入端作为与门的第一输入端,所述与门的第二输入端接VDD0,所述与门的输出端作为常供电电源域芯片接口电路输出端。5.根据权利要求4所述的防漏电电路,其特征在于,R0:R1>1:3。2CN111244890A说明书1/3页一种芯片之间通信的防漏电电路技术领域[0001]本发明属于集成电路结构领域,特别涉及一种主从芯片之间通信时防止芯片漏电技术。背景技术[0002]在多芯片通信系统中,为了节省功耗,经常有部分芯片供电,部分芯片不供电的应用场景。这种应用场景经常会遇到输出不匹配导致的漏电现象,从而达不到节省功耗的目的。发明内容[0003]为解决上述技术问题,本发明提出一种芯片之间通信的防漏电电路。[0004]本发明采用的技术方案为:一种防漏电电路拓扑结构,包括:供电电源、LDO/DC-DC、非常供电电源域芯片、常供电电源域芯片、SLAVE芯片以及长供电的电源VDDS,SLAVE芯片输出WAKE信号至常供电电源域芯片,当WAKE有效时,常供电电源域芯片输出PD信号给LDO/DC-DC,LDO/DC-DC提供电压VDDM给非常供电电源域芯片,则MASTER芯片与常供电电源域芯片、非常供电电源域芯片与SLAVE芯片之间开始通信;通信结束后WAKE失效;[0005]还包括:防漏电电路,所述防漏电电路置于MCU0芯片和非常供电电源域芯片之间。[0006]所述防漏电电路置于SLAVE芯片里面。[0007]本发明还提供一种基于上述拓扑结构的防漏电电路,包括:常供电电源域芯片电路、常供电电源域芯片接口电路以及非常供电电源域芯片电路;常供电电源域芯片电路的输出作为常供电电源域芯片接口电路的输入,常供电电源域芯片接口电路的