漏电补偿电路、芯片及电子设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116015262A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202211702432.8(22)申请日2022.12.28(71)申请人骏盈半导体（上海）有限公司地址200030上海市徐汇区漕溪北路88号1905、1906室(72)发明人施尘玥王欢于翔(74)专利代理机构北京慧加伦知识产权代理有限公司16035专利代理师赵敏岑李志刚(51)Int.Cl.H03K17/14(2006.01)H03K17/687(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称漏电补偿电路、芯片及电子设备(57)摘要本公开的实施例提供一种漏电补偿电路、芯片及电子设备，属于集成电路技术领域。所述漏电补偿电路包括：输出级电路、第一采样电路、运算放大器电路、以及第二采样电路，运算放大器电路包括相互耦接的运算放大器输出级电路与运算放大器第一级电路。第一采样电路对输出级电路的漏电流进行采样，得到第一采样电流，并经由第一节点将第一采样电流提供至运算放大器输出级电路；第二采样电路对运算放大器输出级电路的电流进行采样，得到第二采样电流，并经由第二节点将第二采样电流提供至输出级电路，以补偿输出级电路的漏电流；运算放大器第一级电路将所述第一节点与所述第二节点的电压进行钳位。CN116015262ACN116015262A权利要求书1/2页1.一种漏电补偿电路，其特征在于，包括：输出级电路、第一采样电路、运算放大器电路、以及第二采样电路，其中，所述运算放大器电路包括相互耦接的运算放大器输出级电路与运算放大器第一级电路，其中，所述第一采样电路被配置为对所述输出级电路的漏电流进行采样，得到第一采样电流，并经由第一节点将所述第一采样电流提供至所述运算放大器输出级电路；所述第二采样电路被配置为对所述运算放大器输出级电路的电流进行采样，得到第二采样电流，并经由第二节点将所述第二采样电流提供至所述输出级电路，以补偿所述输出级电路的漏电流；所述运算放大器第一级电路被配置为将所述第一节点与所述第二节点的电压进行钳位。2.根据权利要求1所述的漏电补偿电路，其特征在于，所述运算放大器第一级电路的同相输入端耦接所述第二节点，所述运算放大器第一级电路的反向输入端耦接所述第一节点。3.根据权利要求2所述的漏电补偿电路，其特征在于，所述运算放大器输出级电路包括：第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的控制极耦接所述运算放大器第一级电路的第一输出端，所述第五晶体管的第一极耦接第五电压端，所述第五晶体管的第二极耦接所述第一节点；所述第六晶体管的控制极耦接所述运算放大器第一级电路的第二输出端，所述第六晶体管的第一极耦接第二电压端，所述第六晶体管的第二极耦接所述第一节点。4.根据权利要求3所述的漏电补偿电路，其特征在于，所述第二采样电路包括：第七晶体管和第八晶体管，其中，所述第七晶体管的控制极耦接所述运算放大器第一级电路的第一输出端，所述第七晶体管的第一极耦接第五电压端，所述第七晶体管的第二极耦接所述第二节点，所述第七晶体管的宽长比是所述第五晶体管的宽长比的固定倍数；所述第八晶体管的控制极耦接所述运算放大器第一级电路的第二输出端，所述第八晶体管的第一极耦接所述第二电压端，所述第八晶体管的第二极耦接所述第二节点，所述第八晶体管的宽长比是所述第六晶体管的宽长比的固定倍数。5.根据权利要求4所述的漏电补偿电路，其特征在于，所述运算放大器输出级电路还包括：第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管，所述第九晶体管的控制极耦接第六电压端，所述第九晶体管的第一极耦接所述第七晶体管的第二极，所述第九晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第十晶体管的控制极耦接所述第六电压端，所述第十晶体管的第一极耦接所述第五晶体管的第二极，所述第十晶体管的第二极耦接所述第一节点；所述第十一晶体管的控制极耦接第七电压端，所述第十一晶体管的第一极耦接所述第八晶体管的第二极，所述第十一晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第十二晶体管的控制极耦接所述第七电压端，所述第十二晶体管的第一极耦接所述第六晶体管的第二极，所述第十二晶体管的第二极耦接所述第一节点。6.根据权利要求1‑5任一项所述的漏电补偿电路，其特征在于，所述输出级电路包括：第一晶体管和第二晶体管，2CN116015262A权利要求书2/2页所述第一晶体管的控制极耦接第三电压端，所述第一晶体管的第一极耦接第一电压端，所述第一晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第二晶体管的控制极耦接第四电压端，所述第二晶体管的第一极耦接第二电压端，所述第二晶体管的第二极耦接所述第二节点；所述第一采样电路包括：第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的控制极耦接所述第三电压端，所述第三晶体管的第一极耦接所述第一