3D电磁屏蔽件及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112825616A(43)申请公布日2021.05.21(21)申请号201911140411.XB32B15/00(2006.01)(22)申请日2019.11.20(71)申请人杜邦电子公司地址美国威尔明顿(72)发明人王平王重阳吴秋菊(74)专利代理机构北京永新同创知识产权代理有限公司11376代理人杨胜军(51)Int.Cl.H05K9/00(2006.01)H05K1/02(2006.01)H05K3/00(2006.01)B32B27/28(2006.01)B32B27/06(2006.01)B32B15/20(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图3页(54)发明名称3D电磁屏蔽件及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种3D电磁屏蔽件、其制备方法、及其应用于电路板的方法。所述3D电磁屏蔽件包括复合膜，并具有与装载有多个电子元件的电路板的立体轮廓匹配的形状，其中，所述复合膜依次包括：第一绝缘层、导电层和第二绝缘层；并且所述复合膜的总厚度为30～150μm。本发明的3D电磁屏蔽件不仅在0.03～30GHz的电磁频率范围内提供至少60dB的平均屏蔽效率，还具有耐高温和高导热性能，从而为电路板上的各个电子元件提供良好的散热效能。CN112825616ACN112825616A权利要求书1/2页1.一种3D电磁屏蔽件，包括复合膜，其中，所述3D电磁屏蔽件具有与装载有多个电子元件的电路板的立体轮廓相匹配的形状，所述多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，所述每个电子元件的高度在0.1～1.5mm的范围内；所述复合膜依次包括第一绝缘层、导电层和第二绝缘层；所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度分别为3～80μm；所述导电层的厚度为5～50μm；以及所述复合膜的总厚度为30～150μm；其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层各自独立地为包括聚酰亚胺或其共聚物的薄膜，所述导电层为包括银、铜或它们的合金的金属箔。2.根据权利要求1所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述复合膜还包括：第一粘合剂层，所述第一粘合剂层位于所述导电层和所述第一绝缘层之间；和/或第二粘合剂层，所述第二粘合剂层位于所述导电层和所述第二绝缘层之间；其中，所述第一粘合剂层和第二粘合剂层的厚度为5～35μm。3.根据权利要求2所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述第一粘合剂层和第二粘合剂层各自独立地包括环氧树脂、(甲基)丙烯酸酯树脂或硅酮树脂。4.根据权利要求1至3中任一项所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述复合膜还包括：第一保护膜，所述第一保护膜位于所述第一绝缘层的外表面上；和/或第二保护膜，所述第二保护膜位于所述第二绝缘层的外表面上；其中，所述第一绝缘层和第二绝缘层的外表面是指远离导电层的那一面；并且所述第一保护膜和第二保护膜的厚度为10～50μm。5.根据权利要求4所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述第一保护膜和第二保护膜各自独立地包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯或聚丙烯。6.根据权利要求1至5中任一项所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述导电层具有未被所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层覆盖的暴露部分；所述暴露部分具有至少0.1mm或更大的宽度，以安装到电路板上用于接地；所述暴露部分位于所述复合膜的边缘，并且可选地位于额外的非边缘点。7.根据权利要求1至6中任一项所述的3D电磁屏蔽件，其中，所述3D电磁屏蔽件在0.03～30GHz的电磁频率范围内具有至少60dB的平均屏蔽效率。8.一种制备根据权利要求1至7中任一项所述的3D电磁屏蔽件的方法，包括以下步骤：i)提供复合膜，所述复合膜依次包括第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，所述复合膜的导电层可选地具有暴露部分；ii)将所述复合膜冲压成型为具有与装载有多个电子元件的电路板的立体轮廓相匹配的形状，所述多个电子元件具有从电路板基面升高的不同高度，所述每个电子元件的高度在0.1～1.5mm的范围内；和iii)将所述复合膜切割至与电路板基板面积匹配的尺寸。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述复合膜的导电层之暴露部分是在层压形成复合膜之前，将第一绝缘层和/或第二绝缘层依照预定图案通过冲切而形成。2CN112825616A权利要求书2/2页10.根据权利要求8所述的方法，其中，当所述复合膜的导电层不具有暴露部分，可选地在步骤ii)之前或之后，通过激光图案化形成所述导电层之暴露部分。11.根据权利要求8所述的方法，其中，当所述复合膜包括第一保护膜和/或第二保护膜，在步骤ii)之前，所述方法还包括以下步骤：i-a)剥离第一保护膜和/或第二保护膜。12.一种制备电路板的方法，所述电路板被3D电磁屏蔽件完全覆盖，所述方法包括以下步骤：(a)提供装载有多个电子