磁屏蔽性能测试装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113358940A(43)申请公布日2021.09.07(21)申请号202010144183.X(22)申请日2020.03.04(71)申请人中国科学院理化技术研究所地址100190北京市海淀区中关村东路29号(72)发明人卫铃佼王莉娟洪国同刘彦杰梁惊涛王国鹏李建国(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002代理人谭云(51)Int.Cl.G01R29/08(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称磁屏蔽性能测试装置(57)摘要本发明涉及磁屏蔽性能测试技术领域，公开了磁屏蔽性能测试装置。该测试装置包括外层屏蔽筒、磁场产生线圈、液氦杜瓦、测试样品和磁场探测器；所述液氦杜瓦设于所述外层屏蔽筒内，所述磁场产生线圈绕设在所述液氦杜瓦的外周，所述测试样品设于所述液氦杜瓦内的液氦中；其中，所述液氦杜瓦的顶端构造有向下延伸至所述液氦杜瓦内的探测通道，所述探测通道位于所述液氦杜瓦内的一端封闭，所述探测通道位于所述液氦杜瓦顶端的一端敞口，且所述探测通道穿至所述测试样品的内部，所述磁场探测器从所述探测通道的敞口端设于所述探测通道内，以测量所述测试样品的内部磁场。本发明操作方便，测量精度高，并能有效减少液氦使用量，降低测试成本。CN113358940ACN113358940A权利要求书1/1页1.一种磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，包括外层屏蔽筒、磁场产生线圈、液氦杜瓦、测试样品和磁场探测器；所述液氦杜瓦设于所述外层屏蔽筒内，所述磁场产生线圈绕设在所述液氦杜瓦的外周，所述测试样品设于所述液氦杜瓦内的液氦中；其中，所述液氦杜瓦的顶端构造有向下延伸至所述液氦杜瓦内的探测通道，所述探测通道位于所述液氦杜瓦内的一端封闭，所述探测通道位于所述液氦杜瓦顶端的一端敞口，且所述探测通道穿至所述测试样品的内部，所述磁场探测器从所述探测通道的敞口端设于所述探测通道内，以测量所述测试样品的内部磁场。2.根据权利要求1所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述探测通道呈圆筒形，所述探测通道外依次形成有真空绝热夹层和辐射冷却屏。3.根据权利要求1所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述外层屏蔽筒的顶端开口，所述开口与所述探测通道的敞口端连通。4.根据权利要求1所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述外层屏蔽筒由多层磁屏蔽材料层组成。5.根据权利要求4所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述外层屏蔽筒采用高频磁场屏蔽筒和低频磁场屏蔽筒组合形成，所述高频磁场屏蔽筒采用铜或铝制成，所述低频磁场屏蔽筒采用坡莫合金或镍铁合金制成。6.根据权利要求1所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述液氦杜瓦内设有用于固定所述测试样品的安装接口，所述安装接口采用无磁材料制成；所述磁场产生线圈采用直流螺线管线圈，所述磁场探测器采用磁通门探测器。7.根据权利要求1所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述液氦杜瓦的顶部设有抽真空口以及延伸至所述液氦杜瓦内底部的充液管，所述充液管的上端设有充液口；所述液氦杜瓦包括内胆以及设于所述内胆外的真空罩，所述真空罩与所述内胆之间设有冷屏。8.根据权利要求7所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述内胆与所述冷屏之间设有第一绝热层，所述冷屏与所述真空罩之间设有第二绝热层。9.根据权利要求8所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述第一绝热层与所述第二绝热层为单面镀铝涤纶薄膜或者双面镀铝涤纶薄膜之间夹设尼龙网间隔物；所述真空罩的材料和所述内胆的材料均采用无磁不锈钢，所述冷屏的材料采用铜或铝合金；所述探测通道材料采用紫铜或铝合金。10.根据权利要求7所述的磁屏蔽性能测试装置，其特征在于，所述真空罩的顶端设有外端盖，所述抽真空口设于所述外端盖，所述充液管由所述外端盖延伸至所述内胆内；所述内胆的顶部设有内端盖；所述探测通道形成在所述外端盖上，所述内端盖设有供所述探测通道穿过的过孔。2CN113358940A说明书1/5页磁屏蔽性能测试装置技术领域[0001]本发明涉及低温磁屏蔽性能测试技术领域，特别是涉及一种磁屏蔽性能测试装置。背景技术[0002]超导电子元器件在测试过程中为了避免环境磁场对测试结果干扰，需要利用低温磁屏蔽罩来屏蔽环境磁场。低温磁屏蔽罩性能的好坏会影响超导元器件的测试和使用效果。[0003]为了评估低温磁屏蔽罩的屏蔽性能，目前主要利用超导量子干涉器(SQUID)来进行测试。超导量子干涉器是利用约瑟夫效应，能高精度测量微弱磁信号的仪器，需要在液氦环境下完成测量。它可以测量0.1T以下的恒定磁场和交变磁场，具有极高的灵敏度和分辨率。当外界环境加载交变磁场的饱和激励后，SQUID可以测量屏蔽罩内的交变磁场，从而可以计算出屏蔽罩的屏蔽系数