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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102898155A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102898155A(43)申请公布日2013.01.30(21)申请号201210331691.4(22)申请日2012.09.07(71)申请人孙邢哲地址100039北京市海淀区田村路48号院15单元9号申请人梅德馨梁德海(72)发明人孙邢哲梅德馨梁德海(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人申健(51)Int.Cl.C04B35/66(2006.01)C04B35/622(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书66页页附图附图44页(54)发明名称用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖及其制造方法和玻璃熔窑(57)摘要本发明公开了一种用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖及其制造方法和玻璃熔窑,涉及热工设备技术领域,解决了玻璃熔窑特别是火焰空间部位耐火材料的体积稳定性及抗碱蒸汽侵蚀性差的问题,可提高玻璃熔窑的使用寿命,同时还可避免硅砖剥落掉入熔化池,保障玻璃产品的质量,提高经济效益。本发明所述用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖,包括:78%~90%的SiO2和8%~20%的ZrO2,其中,各单体含量的单位为该单体占所述无钙硅锆砖总质量的质量百分比;所述无钙硅锆砖的体积密度为2.1g/cm3~2.2g/cm3。所述玻璃熔窑,使用了本发明所述的无钙硅锆砖。CN102895ACN102898155A权利要求书1/2页1.一种用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖,其特征在于,包括:78%~90%的SiO2和8%~20%的ZrO2,其中,各单体含量的单位为该单体占所述无钙硅锆砖总质量的质量百分比;所述无钙硅锆砖的体积密度为2.1g/cm3~2.2g/cm3。2.根据权利要求1所述的无钙硅锆砖,其特征在于,杂质钙占所述无钙硅锆砖总质量的百分比不超过0.02%。3.根据权利要求1或2所述的无钙硅锆砖,其特征在于,杂质Fe2O3的含量不超过所述无钙硅锆砖总质量的0.05%。4.根据权利要求3所述的无钙硅锆砖,其特征在于,所述无钙硅锆砖的气孔率为19%~21%。5.根据权利要求1-4所述的无钙硅锆砖,其特征在于,所述无钙硅锆砖的荷重软化温度大于等于1680℃。6.一种玻璃熔窑,其特征在于,使用了权利要求1所述的无钙硅锆砖。7.一种无钙硅锆砖的制造方法,其特征在于,包括:准备原料,并将所述原料加工到符合要求的颗粒度,制备所述无钙硅锆砖的各原料组成和配比(质量百分比)如下:粒度为3~1mm且纯度不小于99.9%的熔融石英25~30%,粒度为325目且纯度不小于99.9%的熔融石英20~25%,粒度为3~1mm且纯度不小于65.5%的锆英石25~30%,粒度为325目且纯度不小于65.5%的锆英石15~20%,纯度不小于92%的微硅粉1~2%,粘结剂3~4%;除去所述原料加工过程中出现的氧化铁;按所述无钙硅锆砖的各原料组成和配比要求,进行颗粒级配,并加入粘结剂、矿化剂和适量的水进行混合;将配制混合好的所述混合原料密封封存至少2小时,使所述粘结剂、矿化剂和原料进行化学反应;将反应后的混合原料制成砖坯;将所述砖坯进行干燥脱水;将干燥好的砖坯进行烧结。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述粘结剂为:55~65%的P2O5和15~25%的Al2O3的混合物,其中,各单体含量的单位为该单体占所述粘结剂总质量的质量百分比;加入上述粘结剂时,所述将干燥好的砖坯进行烧结,具体为:将干燥好的砖坯加温至大于等于600度,烧结至少3小时。9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于,所述将反应后的混合原料制成砖坯,具体为:通过机压、手工捣打或浇注成型中的任一方式,将反应后的混合原料制成砖坯。10.根据权利要求7-9任一项所述的方法,其特征在于,所述制备所述无钙硅锆砖的各原料组成和配比(质量百分比)如下:2CN102898155A权利要求书2/2页粒度为1~3mm且纯度不小于99.9%的熔融石英30%,粒度为325目且纯度不小于99.9%的熔融石英20%,粒度为1~3mm且纯度不小于65.5%的锆英石30%,粒度为325目且纯度不小于65.5%的锆英石15%,纯度不小于92%的微硅粉1.5%,粘结剂3.5%。3CN102898155A说明书1/6页用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖及其制造方法和玻璃熔窑技术领域[0001]本发明涉及热工设备技术领域,尤其涉及一种用于玻璃熔窑的无钙硅锆砖及其制造方法和玻璃熔窑。背景技术[0002]玻璃熔窑指玻璃制造中用于熔制玻璃配合料的热工设备,是玻璃生产企业的主要设备。一般情况下,建造一个玻璃工厂需投资5~8亿元人民币,其中,建造一座玻璃窑炉需投资1.5~2亿元左右。[0003]玻璃特别是高档艺术玻璃的生产,在生产过程中不但要求融化温度