低噪声放大器.pdf
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低噪声放大器属于基本电子电路领域,尤其是涉及一种放大器的改进。本发明提供一种性能稳定、工作带宽较大的一种低噪声放大器。本发明包括处理器、解码芯片、比较模块、传输模块、CMOS放大电路、输出匹配网、电源电路、电源管理模块、A/D转换模块,其特征在于:解码芯片的一个端口通过比较器与传输模块相连,解码器的另一个端口通过COMS放大电路与处理器相连;处理器的端口与输出匹配网、电源管理模块相连,电源管理模块与电源电路相连。
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微波低噪声晶体管放大器分析与设计潘于【摘要】:在研究了国内外微波低噪声放大器的发展历史,结合大量相关文献,分析了各种微波低噪声放大器的优缺点基础上,深入研究了微波晶体管低噪声放大器的工作机理,设计出性能指标优异的低噪声放大器。随着计算机水平的高速发展,微波分析仿真软件层出不穷。传统的设计方法计算复杂,设计效率极低,验证结果极其困难。我们采用了最新的射频微波分析仿真软件,结合传统的放大器设计理论,从单级窄带入手,逐步过渡到多级宽带,并最后设计出超宽带低噪声放大器。设计过程中,我们选用精确的器件模型,充分地发
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低噪声放大器晶体管的自身噪声由下列四部分组成。①闪烁噪声,其功率谱密度随频率f的降低而增加,因此也叫作1/f噪声或低频噪声。频率很低时这种噪声较大,频率较高时(几百赫以上)这种噪声可以忽略。②基极电阻rb‘b的热噪声和。③散粒噪声,这两种噪声的功率谱密度基本上与频率无关。④分配噪声,其强度与f的平方成正比,当f高于晶体管的截止频率时,这种噪声急剧增加。图1是晶体管噪声系数F随频率变化的曲线。对于低频,特别是超低频低噪声放大器,应选用1/f噪声小的晶体管;对于中、高频放大,则应尽量选用高的晶体管,使其工作频
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第五章低噪声放大器本章主要内容本章学习重点和难点5.1低噪声放大器概述二、低噪声放大器在通信射频前端的位置⑵LNA所接受的信号是很微弱的,故它是一个信号线性放大器。5.2低噪声放大器的性能指标从表中可以看出,低噪声放大器的主要指标为:(1)低功耗——移动通信的必然要求(3)噪声系数场效应管(4)增益(5)自动增益控制匹配方式(7)线性范围(8)隔离度和稳定性5.3晶体管高频等效电路1)双极工艺:纯双极(purebipolar)--BJT,BiCMOS和SiGeHBT(异质结双极管)与CMOS相比,双极晶体
低噪声放大器保护.pdf
本公开的示例实施例涉及低噪声放大器保护。在一些示例实施例中,提供了一种与收发器一起使用的装置。该装置包括第一晶体管,具有用于接收收发器的第一驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到收发器的开关的控制端子的漏极/集电极端子,第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级。当第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平时,第一晶体管被导通。当第一晶体管被导通时,第一晶体管的漏极/集电极端子向开关的控制端子输出处于第二电平的开关控制信号,以启用开关来向负载提供所反射的部分。