低噪声放大器保护.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109412537A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201710697322.X(22)申请日2017.08.15(71)申请人诺基亚通信公司地址芬兰埃斯波申请人上海诺基亚贝尔股份有限公司(72)发明人陈利欢袁苏民季军(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人酆迅罗利娜(51)Int.Cl.H03F1/52(2006.01)H04B1/44(2006.01)权利要求书3页说明书11页附图5页(54)发明名称低噪声放大器保护(57)摘要本公开的示例实施例涉及低噪声放大器保护。在一些示例实施例中，提供了一种与收发器一起使用的装置。该装置包括第一晶体管，具有用于接收收发器的第一驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到收发器的开关的控制端子的漏极/集电极端子，第一驱动控制信号用于控制收发器的驱动器级。当第一驱动控制信号处于启用驱动器级来放大第一RF信号的第一电平时，第一晶体管被导通。当第一晶体管被导通时，第一晶体管的漏极/集电极端子向开关的控制端子输出处于第二电平的开关控制信号，以启用开关来向负载提供所反射的部分。CN109412537ACN109412537A权利要求书1/3页1.一种与收发器一起使用的装置，所述收发器包括：天线，可操作地在第一时间传输第一射频(RF)信号并且在第二时间接收第二RF信号，驱动器级，可操作以基于第一驱动控制信号来放大所述第一RF信号，低噪声放大器(LNA)，可操作以放大所述第二RF信号，环形器，可操作以在所述第一时间向所述天线提供所述第一RF信号并且在所述第二时间从所述天线接收所述第二RF信号，负载，以及开关，具有连接到所述环形器的输入端子、用于接收开关控制信号的控制端子、连接到所述LNA的第一输出端子和连接到所述负载的第二输出端子，所述开关可操作以在所述收发器处于传输模式时基于所述开关控制信号向所述负载提供由所述天线反射的所述第一RF信号的一部分，并且在所述收发器处于接收模式时基于所述开关控制信号向所述LNA提供所述第二RF信号，并且所述装置包括第一晶体管，具有用于接收所述第一驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到所述开关的所述控制端子的漏极/集电极端子，其中当所述第一驱动控制信号处于第一电平时，所述第一晶体管被导通，处于所述第一电平的所述第一驱动控制信号启用所述驱动器级来放大所述第一RF信号，并且其中当所述第一晶体管被导通时，所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于第二电平的所述开关控制信号，处于第二电平的所述开关控制信号启用所述开关来向所述负载提供所反射的部分。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述驱动器级包括预驱动器，所述预驱动器可操作以基于所述第一驱动控制信号来将所述第一RF信号放大到第一功率电平。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述驱动器级包括驱动器，所述驱动器可操作以基于第二驱动控制信号来进一步将所述第一RF信号放大到第二功率电平，所述第二功率电平大于所述第一功率电平，所述装置还包括：第二晶体管，具有用于接收所述第二驱动控制信号的栅极/基极端子和耦合到所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子和所述开关的所述控制端子的漏极/集电极端子，其中当所述第二驱动控制信号处于启用所述驱动器来进一步放大所述第一RF信号的所述第一电平时，所述第二晶体管被导通，并且其中当所述第二晶体管被导通时，所述第二晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于所述第二电平的所述开关控制信号。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子接收另外的开关控制信号，并且其中所述另外的开关控制信号被生成以意图用于控制所述收发器的所述开关并且被防止提供给所述开关。5.根据权利要求4所述的装置，其中当所述第一驱动控制信号处于禁用所述驱动器级的第三电平时，所述第一晶体管被关断，并且其中当所述第一晶体管被关断时，所述第一晶体管的所述漏极/集电极端子向所述开关的所述控制端子输出处于与所述另外的开关控制信号相同的电平的所述开关控制信号。6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述第一晶体管包括n沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管的源极/发射极耦合到信号接地。7.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述第一晶体管包括p沟道金属氧化2CN109412537A权利要求书2/3页物半导体(PMOS)场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管的源极/发射极耦合到电压源。8.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，进一步包括：第一电阻器，具有第一端子，所述第一端子连接到所述第一晶体管的所述栅极/基极端子。9.根据权利要求3所述的装置，进一步包括：