太阳能电池制造方法、用该方法制造的太阳能电池和衬底座.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109155341A(43)申请公布日2019.01.04(21)申请号201780022814.7(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司1(22)申请日2017.04.071127代理人王小东(30)优先权数据DE102016106563.32016.04.11DE(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L31/0224(2006.01)2018.10.10H01L31/0747(2012.01)(86)PCT国际申请的申请数据C23C14/00(2006.01)PCT/IB2017/0520132017.04.07C23C14/50(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据C23C16/458(2006.01)WO2017/178941DE2017.10.19H01L21/673(2006.01)(71)申请人梅耶博格（德国）股份有限公司地址德国霍亨斯泰因-埃尔恩斯塔尔(72)发明人G·奇塔雷拉H-P·斯皮尔里切G·科勒F·温施D·松塔格H·梅利希M·科尼格P·帕佩权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称太阳能电池制造方法、用该方法制造的太阳能电池和衬底座(57)摘要本发明涉及制造具有异质结的太阳能电池的方法，具有如下步骤：在半导体衬底的前侧上形成第一无定形纳晶和/或微晶半导体层；形成导电透明的前侧电极层；形成前侧金属接触层格栅结构；在前侧上执行透明介电前侧覆层的PECVD沉积。根据本发明，为了沉积该前侧覆层而采用表面选择性PECVD沉积，该前侧覆层以这样的厚度沉积，即前侧覆层紧接在其层沉积之后在没有附加的热处理和/或化学处理情况下仅在围绕前侧接触层格栅结构的区域上而没有在前侧接触层格栅结构上形成一个封闭层。CN109155341ACN109155341A权利要求书1/2页1.一种太阳能电池(1)的制造方法，该太阳能电池具有异质结、针对光入射设置的前侧(15)和与所述前侧(15)对置的背侧(16)，其中该方法具有以下步骤：-提供第一传导类型的晶体半导体衬底(2)；-在所述半导体衬底(2)的前侧表面上形成至少一个第一无定形纳晶和/或微晶半导体层或半导体层组(3,5)，或是在形成与所述第一传导类型相反的第二传导类型的前侧发射极情况下，或是在形成所述第一传导类型的前侧表面区位的情况下；-在所述半导体衬底(2)的背侧背面上形成至少一个第二无定形纳晶和/或微晶半导体层或半导体层组(4,6)，或是在形成所述第一传导类型的背侧表面区位情况下，或是在形成所述第二传导类型的背侧发射极情况下；-在所述前侧发射极或所述前侧表面区位上形成至少一个导电透明的前侧电极层(7)，并且在所述背侧表面区位或所述背侧发射极上形成至少一个导电透明的背侧电极层(8)；-形成前侧金属接触层格栅结构(9)以导电接触所述前侧发射极或所述前侧表面区位；-在形成所述前侧金属接触层格栅结构(9)之后，在前侧上PECVD沉积非导电的透明介电前侧覆层(11)；和-在所述背侧电极层(8)上形成背侧金属化结构；其特征是，为了沉积所述前侧覆层(11)而采用表面选择性PECVD沉积，并且所述前侧覆层(11)以这样的厚度被沉积，使得所述前侧覆层(11)紧接在其层沉积之后在没有附加的热处理和/或化学处理情况下只在环绕所述前侧金属接触层格栅结构(9)的区域上而没有在所述前侧金属接触层格栅结构(9)上形成一个封闭层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述背侧金属化结构的形成具有以下步骤：-形成背侧金属接触层格栅结构(10)以便导电接触所述背侧发射极或所述背侧表面区位；-在形成所述背侧金属接触层格栅结构(10)之后，在背侧上PECVD沉积非导电的透明介电背侧覆层(12)；-其中为了所述背侧覆层(12)的沉积而采用表面选择性PECVD沉积，并且所述背侧覆层(12)以这样的厚度被沉积，使得所述背侧覆层(12)紧接在其层沉积之后在没有附加的热处理和/或化学处理情况下仅在环绕所述背侧金属接触层格栅结构(12)的区域上而没有在所述背侧金属接触层格栅结构(12)上形成一个封闭层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在所述前侧金属接触层格栅结构(9)上，在采用所述前侧覆层(11)的材料作为电镀掩蔽层而没有在先的结构化和/或没有至少部分去除该前侧覆层(11)的情况下被电镀沉积至少一个前侧金属接触增厚层(13)，和/或在所述背侧金属接触层格栅结构(10)上，在采用所述背侧覆层(12)的材料作为电镀掩蔽层而没有在先的结构化和/或至少部分去除所述背侧覆层(12)情况下电镀沉积至少一个背侧金属接触增厚层(14)。4.根据前述权利要求中至少一