制造太阳能电池的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103681953103681953A(43)申请公布日2014.03.26(21)申请号201310373378.1(22)申请日2013.08.23(30)优先权数据10-2012-00941992012.08.28KR(71)申请人LG电子株式会社地址韩国首尔(72)发明人李满权正晓李圣恩权泰瑛(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书19页说明书19页附图12页附图12页(54)发明名称制造太阳能电池的方法(57)摘要本发明提供了制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，其用于在执行第一清洁处理之后使用酸性化学物质去除所述微突起表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。CN103681953ACN1036895ACN103681953A权利要求书1/2页1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：执行干蚀刻处理，其用于在半导体基板的第一表面上形成包括多个微突起的纹理化表面；执行第一清洁处理，其用于使用碱性化学物质去除所述微突起的表面上的受损部分并且去除所述微突起的表面上吸附的杂质；执行第二清洁处理，用于在执行所述第一清洁处理之后，使用酸性化学物质去除所述微突起的表面上残留的或再次吸附的杂质；以及在所述半导体基板的第一表面上形成射极区。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述干蚀刻处理包括反应离子蚀刻法。3.根据权利要求1所述的方法，其中通过对超纯水和具有羟基（OH）的碱性材料进行混合来形成所述碱性化学物质。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述碱性化学物质额外地包含过氧化氢。5.根据权利要求3所述的方法，其中具有羟基的所述碱性材料包括氢氧化钾溶液或氢氧化铵溶液。6.根据权利要求1所述的方法，其中通过对超纯水、氯化氢和过氧化氢进行混合来形成所述酸性化学物质。7.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第一清洁处理和所述第二清洁处理之间，使用稀释的酸性化学物质再次清洁所述微突起的表面。8.根据权利要求7所述的方法，其中通过对超纯水和氟化氢进行混合来形成所述稀释的酸性化学物质。9.根据权利要求6所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第二清洁处理之后，使用稀释的酸性化学物质再次清洁所述微突起的表面。10.根据权利要求9所述的方法，其中通过对超纯水和氟化氢进行混合来形成所述稀释的酸性化学物质。11.根据权利要求1所述的方法，其中通过对超纯水、氯化氢和氟化氢进行混合来形成所述酸性化学物质。12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述射极区的步骤包括：使用离子注入法或热扩散法，将第一导电类型的杂质注入所述半导体基板的第一表面。13.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成第二纹理化表面，所述第二纹理化表面在所述半导体基板的与第一表面相对的第二表面上包括多个微突起；以及在所述半导体基板的所述第二表面上局部地形成背表面场区。14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述背表面场区的步骤包括：使用离子注入法或热扩散法，将与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质注入所述半导体基板的第二表面。15.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述半导体基板的第二表面上形成第一电介质层；在所述射极区上和设置在所述半导体基板的所述第二表面上的所述第一电介质层上，同时形成第二电介质层；2CN103681953A权利要求书2/2页在设置在所述射极区上的所述第二电介质层上形成第三电介质层；以及形成与所述射极区连接的第一电极部分和与所述背表面场区连接的第二电极部分。16.根据权利要求15所述的方法，其中通过沉积厚度约为70nm至100nm的氢化氮化硅来形成所述第一电介质层和所述第三电介质层，其中，通过沉积厚度约为5nm至15nm的氧化铝来形成所述第二电介质层，使用原子层沉积法来沉积氧化铝。17.根据权利要求15所述的方法，其中以与所述第二电极部分的多个指状电极相同的图案形成所述背表面场区。3CN103681953A说明书1/19页制造太阳能电池的方法技术领域[0001]本发明的实施方式涉及制造太阳能电池的方法。背景技术[0002]近来，诸如石油和煤炭的现有能源预期将要耗尽，对用于替代现有能源的代用能源的兴趣正在增加。在这些代用能源之中，由太阳能产生电能的太