一种新型高过载差压传感器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111157171A(43)申请公布日2020.05.15(21)申请号202010094383.9(22)申请日2020.02.15(71)申请人盛雪梅地址300134天津市红桥区佳园东里7号楼3门305(72)发明人盛雪梅(74)专利代理机构北京丰浩知识产权代理事务所(普通合伙)11781代理人李学康(51)Int.Cl.G01L13/02(2006.01)G01L19/06(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种新型高过载差压传感器(57)摘要本发明属于测量仪表技术领域，具体涉及一种新型高过载差压传感器。本发明芯片基座安装在正压基座顶部中心位置的凹槽内，芯片基座内部粘有单晶硅差压芯片；芯片基座上烧结两个充油管，分为正压端充油管和负压端充油管；正压基座和负压基座内部开有油路，中心过载膜片安装在负压基座与正压基座之间，将正压基座和负压基座内的油路分为正压油路和负压油路，正压油路和负压油路的容积相等；通过正压端充油管将正压油路腔充硅油，通过负压端充油管将负压油路腔充硅油，充油完成后，通过氩弧焊接将正压端充油管和负压端充油管堵死密封。本发明保证正压端和负压端油路体积相等，从而达到单晶硅差压芯片精度稳定，提高传感器的稳定性。CN111157171ACN111157171A权利要求书1/2页1.一种新型高过载差压传感器，其特征在于：包括芯片基座(1)、单晶硅差压芯片(2)、金丝(3)、正压端充油管(4)、负压端充油管(5)、正压基座(6)、正压隔离膜片(7)、负压基座(8)、负压隔离膜片(9)、中心过载膜片(10)、引脚(11)、氟胶圈(12)；芯片基座(1)安装在正压基座(6)顶部中心位置的凹槽内，芯片基座(1)是烧结而成的，内部粘有单晶硅差压芯片(2)，单晶硅差压芯片(2)通过金丝(3)与芯片基座(1)上的引脚(11)连接，从而实现芯片基座(1)的通电、通讯；正压基座(6)上氩弧焊接正压隔离膜片(7)，负压基座(8)上氩弧焊接负压隔离膜片(9)，芯片基座(1)上烧结两个充油管，分为正压端充油管(4)和负压端充油管(5)；正压基座(6)和负压基座(8)内部开有油路，中心过载膜片(10)安装在负压基座(8)与正压基座(6)之间，负压基座(8)与正压基座(6)通过同心挤压，将中心过载膜片(10)与正压基座(6)、负压基座(8)形成硬密封，将正压基座(6)和负压基座(8)内的油路分为正压油路和负压油路，正压油路和负压油路的容积相等；通过正压端充油管(4)将正压油路腔充硅油，通过负压端充油管(5)将负压油路腔充硅油，充油完成后，通过氩弧焊接将正压端充油管(4)和负压端充油管(5)堵死密封。2.根据权利要求1所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述芯片基座(1)上套有氟胶圈(12)，安装在正压基座(6)顶部中心位置的凹槽内部，芯片基座(1)和正压基座(6)在外部连接处氩弧焊接，保证密封性。3.根据权利要求2所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述正压基座(6)内部开有水平的油路A，正压隔离膜片(7)与油路A接触；负压基座(8)内部开有与油路A相对应的水平的油路D，负压隔离膜片(9)与油路D接触。4.根据权利要求3所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述中心过载膜片(10)的两侧分别为正压基座(6)的油路J和负压基座(8)的油路E。5.根据权利要求1所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述正压基座(6)、负压基座(8)在外部连接处氩弧焊接，保证密封性。6.根据权利要求4所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述芯片基座(1)底部开有油路C，油路C通过正压基座(6)内部的油路B与油路A连通，芯片基座(1)内部开有油路H，单晶硅差压芯片(2)将油路C和油路H分隔开，油路C侧为正压油路，油路H侧为负压油路；芯片基座(1)、正压基座(6)、负压基座(8)内部共同形成油路G，油路G与油路H连通；负压基座(8)内开斜孔，形成油路F，油路F一端与油路G连通，一端与油路E连通。7.根据权利要求6所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述正压端充油管(4)的油路通过芯片基座(1)和正压基座(6)底部缝隙与油路C连通，负压端充油管(5)的油路与油路G连通。8.根据权利要求4所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：所述中心过载膜片(10)通过热处理调整力学性能。9.根据权利要求1-8任意一项所述的一种新型高过载差压传感器，其特征在于：当额定压力施加在正压隔离膜片(7)上，压力推动硅油通过油路A、油路B、油路C,作用在单晶硅差压芯片(2)正压端，芯片产生正压信号；当额定压力施加在负压隔离膜片(9)上，压力推动硅油