一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115299304A(43)申请公布日2022.11.08(21)申请号202211017051.6(22)申请日2022.08.24(71)申请人遵义市农业科学研究院地址563102贵州省遵义市新蒲新区奥体路中段(72)发明人兰宣莲赵盈盈周丹曾庆庆刘远伦吴康王瑾(74)专利代理机构遵义浩嘉知识产权代理事务所(普通合伙)52112专利代理师幸云强(51)Int.Cl.A01G22/25(2018.01)A01G13/02(2006.01)权利要求书2页说明书4页(54)发明名称一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法(57)摘要本发明公开了本发明属于魔芋栽培技术领域，具体涉及一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，包括以下步骤S1.选地与整地；S2.起垄开槽；S3.施足底肥；S4.播种；S4.覆膜；S5.打孔；S6.填充保水层；S7.覆盖隔离层；S8.日常管理。本发明采用林下覆膜栽培魔芋并进行保水控温处理，不仅可以抑制杂草和控制病害发生，而且还能避免膜下土层温度过高，进而保证魔芋的正常生长。CN115299304ACN115299304A权利要求书1/2页1.一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.选地与整地：选择林下进行魔芋种植，对林间土层进行翻挖晒垡；S2.起垄开槽：在翻挖晒垡的土层上起垄，垄宽为0.5‑0.9米，高0.2‑0.5米，在垄上沿垄长度方向开设三条凹槽，即凹槽A、凹槽B、凹槽C，其中凹槽B位于凹槽A与凹槽C之间；相邻两垄之间开始排水沟；S3.施足底肥：在三条凹槽内施足底肥；其中凹槽B底肥施完后，在凹槽B内盖上1‑2厘米土壤；S4.播种：将选取好的种芋播种到凹槽B内，然后覆土盖种，将凹槽B填平，相邻两种芋的间距为30‑40厘米；S4.覆膜：将薄膜覆盖在垄上并将薄膜压入凹槽A与凹槽C内，同时使薄膜贴在垄面以及凹槽A与凹槽C的槽壁上，且薄膜两边沿伸到垄的两侧，最后将薄膜两边沿用土压紧；S5.打孔：在每个种芋上方的薄膜上打一个萌发孔，同时在凹槽A与凹槽C内的薄膜上分别打多个渗透孔，相邻两渗透孔间隔5‑12厘米；每个渗透孔直径为1‑3毫米的孔构成，相邻两孔间距0.5‑1厘米；S6.填充保水层：在凹槽A与凹槽C内填充用于保水控湿的保水层，直至填平凹槽A与凹槽C；S7.覆盖隔离层：在垄上覆盖一层厚度为8‑12厘米并将三个凹槽顶部薄膜都覆盖的隔离层；隔离层与树荫配合隔离阳光，避免阳光照射薄膜而导致薄膜内部土壤温度过高；S8.日常管理：在魔芋种植后，发现覆盖的隔离层腐烂或者被雨水冲走时，都需要补充隔离层；每年魔芋倒苗后，补充隔离层，直至魔芋丰收。2.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S2中所述垄宽为0.7米，高0.3米。3.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S2所述凹槽B的深度大于凹槽A与凹槽C的深度，凹槽A与凹槽C首尾相连，形成环绕在凹槽B外的环形槽。4.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S4中相邻两种芋的间距为35厘米。5.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:(5‑9):(3‑7):(2‑6)的重量比例混匀而得。6.根据权利要求5所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S6所述保水层由玉米棒芯颗粒、砂土、沼液、碎秸秆按10:8:4:3的重量比例混匀而得。7.根据权利要求1所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S7所述隔离层为厚度7厘米的秸秆层或松针层。8.根据权利要求1‑7中任意一项所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：步骤S6中，在保水层将凹槽A与凹槽C填平后，用薄膜分别将凹槽A与凹槽C顶部盖住，盖好后，按压薄膜中部，使薄膜中间低两边高，在薄膜中部沿其长度方向设置多个孔，孔的直径为0.5‑1.5毫米。9.根据权利要求1‑7中任意一项所述魔芋林下起垄覆膜栽培方法，其特征在于：薄膜铺好后，在盖隔离层前，先在保水层顶部沿凹槽A与凹槽C长度方向铺设一根用于对保水层补充水肥的管道，所述管道侧壁沿其长度方向设有多个孔，所有凹槽A与凹槽C内的管道互相2CN115299304A权利要求书2/2页接通并汇流到一根主管道处。3CN115299304A说明书1/4页一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法技术领域[0001]本发明属于魔芋栽培技术领域，具体涉及一种魔芋林下起垄覆膜栽培方法。背景技术[0002]魔芋被联合国卫生组织确定为十大保健食品之一，含有多种氨基酸、矿物质、微量元素和丰富的食物纤维，具有降血压、降血糖等多种功效。除此之外，魔芋还具有较高的工业价值，可以广泛运用到工业，生物工程、建筑等领城。国内外市场对魔