基于CMOS的RF天线开关.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104160553104160553A(43)申请公布日2014.11.19(21)申请号201380004622.5(72)发明人A·莫斯托夫Y·哈森(22)申请日2013.09.25(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所(30)优先权数据1124761/705,1502012.09.25US代理人杨晓光于静61/720,0012012.10.30US(51)Int.Cl.61/726,6992012.11.15USH01Q1/52(2006.01)61/726,7172012.11.15USH01Q1/24(2006.01)61/727,1212012.11.16USH01Q3/01(2006.01)61/727,1202012.11.16US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.30(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2013/0616182013.09.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/052413EN2014.04.03(71)申请人DSP集团有限公司地址以色列赫尔泽利亚权权利要求书2页利要求书2页说明书25页说明书25页附图47页附图47页(54)发明名称基于CMOS的RF天线开关(57)摘要本发明提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路，其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙，ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术，如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器，所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。CN104160553ACN104653ACN104160553A权利要求书1/2页1.一种半导体天线开关，包括：第一天线端口，其用于耦合到第一天线；第二天线端口，其用于耦合到第二天线；发送/接收端口，其用于耦合到所述第一天线或所述第二天线；匹配网络，其耦合到所述发送/接收端口；第一开关，其在所述第一天线端口和所述匹配网络之间串联耦合；以及第二开关，其在所述第二天线端口和所述匹配网络之间串联耦合。2.根据权利要求1所述的半导体天线开关，还包括在所述第一天线端口和所述第一开关之间串联的电感器。3.根据权利要求2所述的半导体天线开关，其中所述电感器包括键合线。4.根据权利要求1所述的半导体天线开关，还包括在所述第二天线端口和所述第二开关之间串联的电感器。5.根据权利要求4所述的半导体天线开关，其中所述电感器包括键合线。6.根据权利要求1所述的半导体天线开关，其中所述第一开关呈现导通，并且所述第二开关呈现不导通，从而将所述第一天线端口耦合到所述发送/接收端口。7.根据权利要求1所述的半导体天线开关，其中所述第一开关呈现不导通，并且所述第二开关呈现导通，从而将所述第二天线端口耦合到所述发送/接收端口。8.根据权利要求1所述的半导体天线开关，其中所述匹配网络包括一个或多个电感器。9.根据权利要求8所述的半导体天线开关，其中所述一个或多个电感器包括一个或多个键合线。10.根据权利要求1所述的半导体天线开关，其中针对具有一个天线的应用禁用所述第一开关和所述第二开关。11.一种半导体天线开关，包括：第一天线端口，其用于耦合到第一天线；第二天线端口，其用于耦合到第二天线；发送/接收端口，其用于将发送RF信号耦合到所述第一天线或所述第二天线以及用于耦合来自所述第一天线或所述第二天线的接收RF信号；第一场效应晶体管(FET)开关，其具有源极、漏极和栅极端子，所述漏极端子耦合到所述第一天线端口，所述源极耦合到所述发送/接收端口，所述栅极端子可操作以接收用于控制所述第一FET开关的第一使能信号；以及第二场效应晶体管(FET)开关，其具有源极、漏极和栅极端子，所述漏极端子耦合到所述第二天线端口，所述源极耦合到所述发送/接收端口，所述栅极端子可操作以接收用于控制所述第二FET开关的第二使能信号。12.根据权利要求11所述的半导体天线开关，还包括在所述第一天线端口和所述第一FET开关之间串联的电感器。13.根据权利要求12所述的半导体天线开关，其中所述电感器包括键合线。14.根据权利要求11所述的半导体天线开关，还包括在所述第二天线端口和所述第二FET开关之间串联的电感器。2CN104160553A权利要求书2/2页15.根据权利要求14所述的半导体天线开关，其中所述电感器包括键合线。16.根据权利要求11所述的半导体天