基于CMOS的TX/RX开关.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104170267104170267A(43)申请公布日2014.11.26(21)申请号201380004662.X(72)发明人A·莫斯托夫Y·哈森(22)申请日2013.09.25R·蓬格拉茨(30)优先权数据(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所61/705,1502012.09.25US1124761/720,0012012.10.30US代理人杨晓光于静61/726,7172012.11.15US(51)Int.Cl.61/726,6992012.11.15USH04B1/44(2006.01)61/727,1202012.11.16US61/727,1212012.11.16US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.06.30(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2013/0616232013.09.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2014/052417EN2014.04.03(71)申请人DSP集团有限公司地址以色列赫尔泽利亚权权利要求书2页利要求书2页说明书25页说明书25页附图51页附图51页(54)发明名称基于CMOS的TX/RX开关(57)摘要提供了一种新颖的和有用的射频(RF)前端模块(FEM)电路，其提供高线性度和功率效率并符合现代无线通信标准(诸如802.11WLAN、3G和4G蜂窝标准、蓝牙，ZigBee等)的要求。所述FEM电路的配置允许使用常见的、相对低成本的半导体制造技术，如标准CMOS工艺。所述FEM电路包括含有一个或多个子放大器的功率放大器，所述子放大器具有高和低功率电路并且其输出被合成以产生总的所需的功率增益。具有被布置为新颖配置的初级和次级绕组的集成多抽头变压器提供高效的功率合成并将由各子放大器生成的功率传输到天线。CN104170267ACN104726ACN104170267A权利要求书1/2页1.一种发送/接收开关，包括：TX端口，其用于耦合到RF发送信号；RX端口，其用于耦合到RF接收信号；天线端口，其用于耦合到天线；电感器，其与所述天线端口和所述RX端口串联耦合；以及电容器和场效应晶体管(FET)开关的串联组合，其跨所述电感器并联耦合，其中所述FET开关具有源极、漏极和栅极端子，所述栅极端子可操作以接收用于控制所述FET开关的控制信号。2.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述开关在发送模式下呈现导通，从而建立所述电感器和所述电容器的高阻抗并联谐振电路。3.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中当所述开关在发送模式下呈现导通时，通过所述电感器和所述电容器的高阻抗并联谐振电路的操作，从所述RX端口阻止所述RF发送信号。4.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述开关在接收模式下呈现不导通，从而通过所述电感器耦合所述天线端口和所述接收端口。5.根据权利要求1所述的发送/接收开关，还包括在所述发送端口和所述天线端口之间串联的电阻器。6.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述电感器包括集总电感器。7.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述电感器包括一个或多个键合线。8.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述FET开关使用选自以下组中的半导体技术来制造，所述组包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓(GaAs)、硅锗(SiGe)和氮化镓(GaN)。9.根据权利要求1所述的发送/接收开关，其中所述发送/接收开关适于发送和接收符合选自以下组的无线标准的信号，所述组包括：802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窝、4G蜂窝和DECT。10.一种发送/接收开关，包括：TX端口，其用于耦合到RF发送信号；RX端口，其用于耦合到RF接收信号；天线端口，其用于耦合到天线；第一变压器巴伦，其可操作以将所述RF接收信号从所述天线端口耦合到所述RX端口；电容器，其与所述第一变压器巴伦串联；场效应晶体管(FET)开关，其跨所述第一变压器巴伦的初级绕组并联耦合；以及第二变压器巴伦，其可操作以将所述RF发送信号从所述TX端口耦合到所述天线端口。11.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，从而使耦合到所述RX端口的低噪声放大器(LNA)的输入端接地。12.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，从而将所述RF发送信号从所述TX端口传送到所述天线端口，同时阻止所述RF发送信号进入所述RX端口。2CN104170267A权利要求书2/2页13.根据权利要求10所述的发送/接收开关，其中所述FET开关在发送模式下呈现导通，由此所述电容器、处于导通状态的所述FET开