一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构及其制备方法以及黑硅电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107742662A(43)申请公布日2018.02.27(21)申请号201711005958.X(22)申请日2017.10.25(71)申请人江西瑞晶太阳能科技有限公司地址338019江西省新余市渝水区下村工业基地大一路22号(72)发明人李璐陈淳孙杰高杨罗小钢(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人吴啸寰(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构及其制备方法以及黑硅电池及其制备方法(57)摘要本发明提供了一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构及其制备方法以及黑硅电池及其制备方法，涉及黑硅电池制备技术领域。一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法包括：将金刚线多晶硅片通过湿法黑硅槽式挖孔设备进行挖孔作业；将完成挖孔作业后的产物通过RENA链式设备进行扩孔作业，并在RENA链式设备的碱洗槽内的碱洗液中添加NH3.H2O和H2O2，在酸洗槽内的酸洗液中加H2O2。此方法可以制备得到质量优良的理想型的蜂窝状湿法黑硅绒面结构，充分的利用了现有多晶生产设备，有效降低的设备采购/改造成本。制备得到的黑硅电池的外观性能良好，电性能优异，具有较大的市场化推广价值。CN107742662ACN107742662A权利要求书1/2页1.一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，其包括：将金刚线多晶硅片通过湿法黑硅槽式挖孔设备进行挖孔作业；将完成挖孔作业后的产物通过RENA链式设备进行扩孔作业，并在所述RENA链式设备的碱洗槽内的碱洗液中添加NH3.H2O和H2O2，在酸洗槽内的酸洗液中加H2O2。2.根据权利要求1所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，挖孔作业是在所述湿法黑硅槽式挖孔设备中依次进行粗抛、第一次水洗、第一次酸洗、第二次水洗、第一次镀银、挖孔、第三次水洗、第一次脱银、漂洗以及第二次酸洗。3.根据权利要求2所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，挖孔作业还包括在第一次镀银与挖孔之间进行第二次镀银，以及在第一次脱银与漂洗之间进行第二次脱银。4.根据权利要求3所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，粗抛是在KOH与含有二氧化硅的第一添加剂的混合液的环境中进行的，且粗抛的温度为60～80℃，粗抛的时间为180～300S；优选地，第一次水洗、第二次水洗以及第三次水洗均在室温下进行，且水洗的时间均为120～200S；优选地，第一次酸洗是在室温下通过硝酸酸洗60～80S；优选地，第一次镀银与第二次镀银均是在HF与第含有银金属盐的第二添加剂的混合液的室温环境下进行60～120S；优选地，挖孔是在HF、H2O2、第三添加剂以及第四添加剂的混合液的环境中进行的，更优选地，所述第三添加剂含有柠檬酸和醇酸化合物，所述第四添加剂含有海藻酸钠、脂肪酸酰胺以及生物酶，进一步优选地，挖孔温度为30～40℃，挖孔时间为180～300S；优选地，第一次脱银与第二次脱银均在NH3.H2O和H2O2的混合液的室温环境中进行的，第一次脱银的时间为150～250S，第二次脱银时间为120～200S；优选地，第二次酸洗是在室温下通过HF酸洗60～80S。5.根据权利要求1所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，扩孔作业是在所述RENA链式设备中依次进行扩孔、第四次水洗、碱洗、第五次水洗、第三次酸洗、第六次水洗、风干以及下料。6.根据权利要求5所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法，其特征在于，扩孔是在HF与硝酸的混合液的环境中进行的，且扩孔的温度为6～12℃，扩孔的时间为80～120S；优选地，第四次水洗、第五次水洗以及第六次水洗均在常温的去离子水的环境中进行40～80S；优选地，碱洗是在NH3.H2O、H2O2以及KOH的混合液的室温环境中进行的，且碱洗的温度为20～60℃；优选地，第三次酸洗是在HF、HCl与H2O2的混合液的室温环境中进行的，且酸洗的时间为80～150S；优选地，风干是在温度为80～85℃的温度下风干50～100S。7.一种蜂窝状湿法黑硅绒面结构，其特征在于，所述蜂窝状湿法黑硅绒面结构通过权利要求1至6中任一项所述的蜂窝状湿法黑硅绒面结构的制备方法制备得到。8.一种黑硅电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的蜂窝状2CN107742662A权利要求书2/2页湿法黑硅绒面结构的制备方法。9.根据权利要求8所述的黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述黑硅电池的制备方法还包括对完成挖孔作业后的蜂窝状湿法黑硅绒面结构依次进行扩散、去PSG、PECVD、印刷烧结以及测试分选。10.一种黑硅电池，其特征