SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112047738A(43)申请公布日2020.12.08(21)申请号202010472737.9C04B35/622(2006.01)(22)申请日2020.05.29C04B38/00(2006.01)H05B3/14(2006.01)(30)优先权数据B01J27/224(2006.01)PCT/JP2019/0226342019.06.06JPB01J32/00(2006.01)2020-0699122020.04.08JPB01J35/04(2006.01)2020-0899732020.05.22JPF01N3/28(2006.01)(71)申请人日本碍子株式会社B01D46/24(2006.01)地址日本国爱知县(72)发明人木俣贵文青柳宗一郎山本规介(74)专利代理机构北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)11432代理人王轶郑雪娜(51)Int.Cl.C04B35/577(2006.01)C04B35/626(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图1页(54)发明名称SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法(57)摘要本发明提供SiC粉末及其制造方法、电加热式蜂窝结构体及其制造方法，所述SiC粉末的电阻率不易经时上升。SiC粉末含有70质量％以上的β－SiC，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。CN112047738ACN112047738A权利要求书1/2页1.一种SiC粉末，其中，含有70质量％以上的β－SiC，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm，D10为5μm以上。2.根据权利要求1所述的SiC粉末，其中，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的粒度5μm以下的粒子的累计体积为7％以下。3.根据权利要求1或2所述的SiC粉末，其中，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为15～35μm，D10为7～20μm。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的SiC粉末，其中，利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D90为100μm以下。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的SiC粉末，其中，所述粉末中包含的β－SiC的层叠缺陷为5％以下。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的SiC粉末，其中，所述粉末中包含的β－SiC的层叠缺陷超过2％。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的SiC粉末，其中，还含有金属硅及硅化物中的一者或两者。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的SiC粉末，其中，含有选自由Ni、Al、B、N、Ga、Ge、Ti、Cu、Co、P、Cr及Zr构成的组中的1种或2种以上的第三元素。9.根据权利要求8所述的SiC粉末，其中，所述粉末中的所述第三元素的合计浓度为6质量％以下。10.一种SiC粉末的制造方法，其包括以下工序：将包含SiC化原料粉末及含有第三元素的粉末的混合物成型而制作成型体的工序、将所述成型体在惰性气氛下于1800℃以下的温度进行烧成而得到含有β－SiC的烧成体的工序、将所述烧成体粉碎而得到被粉碎的烧成体的工序、以及将所述被粉碎的烧成体分级而得到利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为8～35μm、D10为5μm以上的粉末的工序。11.根据权利要求10所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述粉末的利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的粒度5μm以下的粒子的累计体积为7％以下。12.根据权利要求10或11所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述粉末的利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D50为15～35μm，D10为7～20μm。13.根据权利要求10～12中的任一项所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述粉末的利用激光衍射法测定的体积基准的累积粒度分布中的D90为100μm以下。14.根据权利要求10～13中的任一项所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述含有第三元素的粉末含有选自由Ni、Al、B、N、Ga、Ge、Ti、Cu、Co、P、Cr及Zr构成的组中的1种或2种以上的第三元素。2CN112047738A权利要求书2/2页15.根据权利要求10～14中的任一项所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述烧成体的气孔率为35～80％。16.根据权利要求10～15中的任一项所述的SiC粉末的制造方法，其中，所述烧成体的平均气孔径为5～300μm。17.一种电加热式蜂窝结构体的制造方法，其包括以下工序：通过将坯土成型并干燥而得到具有外周侧壁和隔壁的柱状的蜂窝成型体的工序，该隔壁配设成比该外周侧壁更靠内周侧且区划形成从第一底面延伸至第二底面并成为流体的流路的多个隔室；以及